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热缺陷的浓度与温度有关，而杂质缺陷的浓度与温度无关，只决定于溶解度和掺杂量。

参考答案和解析
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考题 在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于();当杂质浓度一定时,少数载流子的浓度与()有关。 A、掺杂种类B、掺杂浓度C、温度D、电压
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考题 杂质半导体中的多数载流子浓度取决于() A、掺杂浓度B、工艺C、温度D、晶体缺陷
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考题 在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于() ,而多数载流子的浓度则与()有很大关系。 A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷E.空穴F.自由电子
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考题 A.与温度无关 B.与浓度无关 C.与浓度有关 D.与反应式无关
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考题 溶解度只与溶质和溶液的性质有关，而与温度无关。A对B错
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考题 在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷
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考题 碳酸钠在铝酸钠溶液中的平衡浓度与NK浓度和温度有关，与AL2O3浓度无关。
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考题 均相反应速度只与（）有关。A、浓度B、表面积C、温度D、温度和浓度
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考题 反应速度常数与温度无关，只与浓度有关。
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考题 反应速率常数与温度无关，仅与浓度有关。
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考题 溶解度只与溶质和溶液的性质有关，而与温度无关。
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考题 饱和蒸气压与液体的量无关，而决定于液体的本性和温度。
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考题 晶体的热缺陷有（）两类，热缺陷浓度与温度的关系式为（）
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考题 根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中（）A、 温度越高，掺杂越快B、 温度越低，掺杂越快C、 温度恒定，掺杂最快D、 掺杂快慢与温度无关
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考题 在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） ，而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷E、空穴F、自由电子
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考题 关于亨利系数，下面的说法中正确的是（）A、其值与温度、浓度和压力有关B、其值只与温度、溶质性质和浓度标度有关C、其值与溶剂性质、温度和浓度大小有关D、其值与温度、溶剂和溶质的性质及浓度标度等因素都有关
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考题 杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。A、温度B、掺杂工艺C、掺杂浓度D、晶格缺陷
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考题 在杂质半导体中，少数载流子的浓度与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷
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考题 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷
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考题 在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（）A、温度B、掺杂元素C、掺杂浓度D、掺杂工艺
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考题 在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）。A、晶体缺陷B、温度C、杂质浓度D、掺杂工艺
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考题 关于亨利系数，下列说法中正确的是：（）A、其值与温度、浓度和压力有关B、其值与温度、溶质性质和浓度有关C、其值与温度、溶剂性质和浓度有关D、其值与温度、溶质和溶剂性质及浓度的标度有关
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考题 关于亨利系数，下面的说法中正确的是（）A、其值与温度、浓度和压力有关B、其值只与温度、溶质性质和浓度标度有关C、其值与溶剂性质、温度和浓度大小有关D、其值与温度、溶剂和溶质的性质及浓度标度等因素都有关系
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考题 单选题杂质半导体中少数载流子浓度（）A 与掺杂浓度和温度无关B 只与掺杂浓度有关C 只与温度有关D 与掺杂浓度和温度有关
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考题 填空题晶体的热缺陷有（）两类，热缺陷浓度与温度的关系式为（）
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考题 单选题晶体中的热缺陷的浓度随温度的升高而（）。A 增加B 不变C 降低
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考题 单选题溶液的蒸气压大小（）A 只与温度有关B 不仅与温度有关，还与各组分的浓度有关C 不仅与温度和各组分的浓度有关，还与溶液的数量有关
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考题 单选题关于溶液的蒸气压大小说法正确的是（）。A 只与温度有关B 不仅与温度有关，还与各组分的浓度有关C 不仅与温度和各组分的浓度有关，还与溶液的数量有关D 与上述因素均无关
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