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ZnO在Zn蒸汽中可形成（）型半导体

A．p型

B．n型

参考答案和解析
正确
更多 “ZnO在Zn蒸汽中可形成（）型半导体A．p型B．n型” 相关考题
考题 在本征半导体中加入( )元素可形成N型半导体。 A.三价B四价C五价
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考题 在纯净半导体中,掺入三价元素,就会形成()型半导体,如掺入五价元素,就会形成()型半导体。 A、P,NB、N,PC、P,PD、N,N
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考题 合成甲醇目前常采用()催化剂。 A.Cu-Zn-Cr氧化物B.Cu-Zn-AL氧化物C.ZnO和CrO3D.Cu-Zn氧化物
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考题 在本征半导体中加入()元素可形成N型半导体。A、五价B、四价C、三价D、二价
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考题 在本征半导体中加入三价元素可形成N型半导体,加入五价元素可形成P型半导体。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 在纯净半导体材料中掺人微量五价元素磷，可形成（）A、N型半导体B、P型半导体C、PN结D、导体
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考题 在本征半导体中，（）是多子，由（）形成。在P型半导体中，（）是少子，由（）形成。
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考题 ZnSO4中加入NaHCO3溶液产物是（）A、ZnCO3·Zn（OH）2B、ZnCO3C、Zn（OH）2D、ZnO
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考题 在纯净的半导体材料中掺入微量五价元素磷，可形成（）。A、N型半导体B、PN结C、P型半导体D、导体
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考题 在杂质半导体中，（）是掺入三价元素形成的。A、本征半导体B、PN结C、N型半导体D、P型半导体
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考题 氧化锌脱硫的主反应是（）。A、ZnO+H2=Zn+H2OB、Zn+H2S=ZnS+H2C、ZnO+H2S=ZnS+H2OD、Zn+S=ZnS
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考题 关于N型半导体的下列说法，错误的是：（）A、自由电了是多数载流子B、在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极C、在纯净的硅晶体中三价元素硼，可形成N型半导体D、在PNP型晶体管中，基区是N型半导体
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考题 TiO2在还原气氛中可形成（）型非计量化合物，可形成（）型半导体，缺陷浓度与氧分压的1/6次方成（），如果减少周围氧气的分压，TiO2-x的密度将（）
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考题 在本征半导体中掺入少量的三价元素杂质就形成（）。A、P型半导体B、N型半导体C、异性半导体D、C型半导体
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考题 在纯净的半导体中掺入不同的杂质，可形成两种不同的杂质半导体，即N型半导体和（）半导体。
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考题 在半导体中掺入五价磷原子后形成的半导体称为（）。A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、化合物半导体
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考题 半导体中有（）和（）两种载流子，在本征半导体中掺着（）阶元素，可形成P型半导体。
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考题 在本征半导体中加入少量的五价元素后，可形成（）A、P型半导体，其少子为自由电子B、N型半导体，其多子为自由电子C、P型半导体，其少子为空穴D、N型半导体，其多子为空穴
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考题 在本征半导体中掺入微量的（）价元素，形成N型半导体。A、二B、三C、四D、五
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考题 在纯净的半导体中加入少量的+5价元素，形成（）A、本征半导体B、N型半导体C、P型半导体D、杂质半导体
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考题 在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。（）A、五价B、四价C、三价
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考题 在本征半导体中掺入少量的（）价元素可形成N型半导体。A、3B、4C、5D、6
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考题 已知：Zn（s）+（1/2）O2---ZnO，ΔcHm=351.5 kJ/mol Hg（l）+（1/2）O2--- HgO，ΔcHm= 90.8kJ/mol因此Zn+HgO ---ZnO+Hg 的ΔrHm是：（）A、442.2kJ/molB、260.7kJ/molC、-62.3kJ/molD、-442.2kJ/mol
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考题 单选题关于P型半导体的下列说法，错误的是（）。A 空穴是多数载流子B 在二极管中，P型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极C 在纯净的硅衬底上，掺杂五价元素，可形成P型半导体D 在NPN型的晶体管中，基区正是由P型半导体构成
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考题 单选题关于N型半导体的下列说法，错误的是（）。A 自由电了是多数载流子B 在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极C 在纯净的硅晶体中加入三价元素硼，可形成N型半导体D 在PNP型晶体管中，基区是N型半导体
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考题 填空题ZnO加热，表面上发生热分解反应，生成的Zn向晶体内部扩散，生成非整比化合物Zn1+xO，这是（）型半导体。NiO在氧气中反应，晶体变为阴离子过量的NiO1+x，这是（）型半导体。
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考题 单选题关于N型半导体的下列说法，正确的是（）。A 只存在一种载流子：自由电子B 在二极管中，N型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极C 在纯净的硅衬底上，分散三价元素，可形成N型半导体D 在PNP型的晶体管中，基区正是由N型半导体构成
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考题 单选题在纯净半导体材料中掺人微量五价元素磷，可形成（）A N型半导体B P型半导体C PN结D 导体
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