考题
设求方程f(x)=0的根的切线法收敛，则它具有()敛速。A、线性B、超线性C、平方D、三次
考题
方程二分法的局限性是()A、收敛速度慢B、不能求偶重根C、方法复杂不易求出D、盲目性大
考题
若方程运用牛顿法具有收敛性，则方程的x*的二阶导数不等于0。()
考题
一般情形下,简单迭代法的收敛阶为1,牛顿法的收敛阶为2。()
此题为判断题(对，错)。
考题
解非线性方程f(x)=0的牛顿迭代法在重根附近()
A、线性收敛B、三次收敛C、平方收敛D、不收敛
考题
设求方程f(x)=0的根的牛顿法收敛,则它具有()收敛。
A、超线性B、平方C、线性D、三次
考题
已知3阶矩阵A的第一行是不全为零，矩阵 （k为常数），且AB=0, 求线性方程组Ax=0的通解
考题
设A为三阶矩阵,A的第一行元素为a,b,c且不全为零,又B=且AB=0,求方程组AX=0的通解.
考题
设A，B为三阶矩阵，且满足方程.若矩阵,求矩阵B.
考题
设，E为3阶单位矩阵（1）求方程组的一个基础解系； （2）求满足的所有矩阵B
考题
设A=，E为三阶单位矩阵.
(Ⅰ)求方程组Ax=0的一个基础解系；
(Ⅱ)求满足AB=E的所有矩阵B.
考题
(1)求F(x)所满足的一阶微分方程；
(2)求出F(x)的表达式。
考题
在负荷与温度回归方程的基础上，对温度求（）导数，得到不同温度条件下，单位温升负荷变化效应。A、一阶B、二阶C、三阶D、四阶
考题
一阶过程控制系统稳定的条件是（）A、特征根为正，微分方程系数都大于零B、特征根为负，微分方程系数都大于零C、特征根为正，微分方程系数都小于零D、特征根为负，微分方程系数都小于零
考题
当二阶系统特征方程的根为具有负实部的复数根时，系统的阻尼比为（）A、ζ0B、ζ＝0C、0ζ1D、ζ≥1
考题
根轨迹在s平面上的分支数等于闭环特征方程的阶数。
考题
用二分法求方程f（x）=x3+x-1=0在区间[0，1]内的根，进行一步后根的所在区间为（），进行两步后根的所在区间为（）。
考题
一阶线性非齐次方程求解公式推导的方法是（）。A、特征根法B、常数变异法C、变量变换法D、积分因子法
考题
常系数二阶线性齐次方程的求解方法是（）。A、常数变异法B、变量变换法C、积分因子法D、特征根法
考题
二阶过程控制系统稳定的条件是（）A、特征根实部为负，衰减系数小于零，微分方程系数都大于零B、特征根实部为正，衰减系数小于零，微分方程系数都大于零C、特征根实部为正，衰减系数大于零，微分方程系数都大于零D、特征根实部为负，衰减系数大于零，微分方程系数都大于零
考题
确定系统根轨迹的充要条件是（）。A、根轨迹的模方程B、根轨迹的相方程C、根轨迹增益D、根轨迹方程的阶次
考题
一阶变量可分离方程的求解方法是（）。A、特征根法B、常数变异法C、变量变换法D、不定积分法
考题
填空题用二分法求方程f（x）=x3+x-1=0在区间[0，1]内的根，进行一步后根的所在区间为（），进行两步后根的所在区间为（）。
考题
单选题常系数二阶线性齐次方程的求解方法是（）。A
常数变异法B
变量变换法C
积分因子法D
特征根法
考题
单选题一阶过程控制系统稳定的条件是（）A
特征根为正，微分方程系数都大于零B
特征根为负，微分方程系数都大于零C
特征根为正，微分方程系数都小于零D
特征根为负，微分方程系数都小于零
考题
单选题一阶线性非齐次方程求解公式推导的方法是（）。A
特征根法B
常数变异法C
变量变换法D
积分因子法
考题
单选题设求方程f（x）=0的根的牛顿法收敛，则它具有（）敛速。A
超线性B
平方C
线性D
三次
考题
单选题一阶变量可分离方程的求解方法是（）。A
特征根法B
常数变异法C
变量变换法D
不定积分法