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目前公认的光电阴极完成光电子发射不包括哪些物理过程
A．来自景物的光子激发光电阴极材料中的电子产生电子空穴对，在半导体内形成自由电子
B．自由电子在半导体材料内产生碰撞产生更多的自由电子
C．自由电子在半导体材料中运动向半导体材料表面迁移
D．到达半导体材料表面的受激电子逸出表面成为真空中的光电子
参考答案和解析
来自景物的光子激发光电阴极材料中的电子产生电子空穴对，在半导体内形成自由电子;自由电子在半导体材料中运动向半导体材料表面迁移;到达半导体材料表面的受激电子逸出表面成为真空中的光电子
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考题
在低能时光电效应是丫射线与物质相互作用的最主要形式，下列说法正确的是A、入射γ光子能量很低时，光电子向入射γ光子的正前方(0°)发射B、入射γ光子能量很低时，光电子向入射γ光子的正后方(180°)发射C、入射γ光子能量很低时，光电子在垂直于入射γ光子方向上发生D、入射γ光子能量增加时，光电子逐渐向后角发射E、入射γ光子能量减少时，光电子逐渐向前角发射
考题
自然伽马测井仪中,光阴极放出光电子,光电子在光电倍增管的倍增极得到加速值,最后在()形成幅度足够大的脉冲输出,再经过混合模块处理传送到地面记录。
A.闪烁体B.光学耦合剂C.光电倍增管的阴极D.压频转换器
考题
自然伽马测井仪中，光阴极放出光电子，光电子在光电倍增管的倍增极得到加速值，最后在（）形成幅度足够大的脉冲输出，再经过混合模块处理传送到地面记录。A、闪烁体B、光学耦合剂C、光电倍增管的阴极D、压频转换器
考题
光电管的实测伏安特性曲线不同于理论曲线的原因是实测的光电流实际上是阴极光电子发射形成的（）、阳极光电子发射形成的（）和光电管的（）的代数和。A、暗电流；反向电流；光电流B、光电流；反向电流；暗电流C、光电流；暗电流；反向电流D、反向电流；光电流；暗电流
考题
在光电效实验中，影响准确确定光电管的截止电压的主要因素有二：1，当光照射到阴极时，必然有部分光漫反射至阳极，至使阳极产生光电效应并发射光电子，这些光电子很易到达阴极而形成（）；2，当光电管无任何光照时，在外加电压作用下仍会有微弱电流流过，我们称之为光电管的（）。A、暗电流；反向电流B、暗电流；光电流C、反向电流；暗电流D、反向电流；光电流
考题
某光电管阴极，对于λ=4910Å的入射光，其发射光电子的遏止电压为0.71V．当，入射光的波长为（）Å时，其遏止电压变为1.43V。（e=1.60×10-19c，h=6.63×l0-34J•S）
考题
单选题关于光电倍增管，下列说法正确的是：（）A
光电倍增管主要由光电阴极、电子光学系统、电子倍增极、阳极、电源等组成；B
电子光学系统的作用是使光电阴极发射的光电子尽可能多的汇集到第一倍增极，并使光电子的渡越时间尽可能相等；C
光电倍增管的增益由外加的总电压决定，与阳极电压无关；D
阴极灵敏度由阴极材料决定，与窗口材料无关。
考题
单选题在低能时光电效应是γ射线与物质相互作用的最主要形式，下列说法正确的是（）A
入射γ光子能量很低时，光电子向入射γ光子的正前方（0°）发射B
入射γ光子能量很低时，光电子向入射γ光子的正后方（180°）发射C
入射γ光子能量很低时，光电子在垂直于入射γ光子方向上发生D
入射γ光子能量增加时，光电子逐渐向后角发射E
入射γ光子能量减少时，光电子逐渐向前角发射
考题
单选题用单色光照射金属表面，使金属释放光电子．增大单色光的频率，但同时减弱它的强度，则光电子的初动能（ ）．A
增大，光电子数减小B
增大，光电子数增大C
减小，光电子数减小D
减小，光电子数增大
考题
多选题下列选项中，符合光电倍增管电子光学系统作用的选项有（）A将光电阴极发射的光电子尽可能多的汇聚到第一倍增级B使光电阴极发射的光电子到达第一倍增级的渡越时间零散最小C使达到第一倍增级的光电子能多于光电阴极的发射光电子量D使进入光电倍增管的光子数增加
考题
多选题用单色光照射金属表面，使金属释放光电子．增大单色光的频率，但同时减弱它的强度，则光电子的初动能（ ）．A增大，光电子数减小B增大，光电子数增大C减小，光电子数减小
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