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6、按照制造工艺,半导体存储器可分为:双极型和 。


参考答案和解析
MOS型
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考题 杂质半导体可分为______型半导体和______型半导体。

考题 半导体存储器从器件原理的角度可分为______和______。

考题 静态随机存储器可以用双极型器件构成,也可以由MOS型器件构成。双极型器件与MOS型器件相比,下面哪一项不是它的特点( )A.工艺较简单B.集成度较低C.存取速度低D.功耗比较大

考题 集成电路是利用半导体工艺或厚膜、薄膜工艺,将电阻、电容、二极管、双极型三极管、场效应晶体管等元器件按照设计要求连接起来,制作在同一硅片上,成为具有特定功能的电路。() 此题为判断题(对,错)。

考题 半导体存储器从器件原理的角度可以分为单极型存储器和【 】。

考题 按照半导体的结构类型,可以将三极管划分为NPN型和()型。A、PPNB、NPIC、PNPD、NIP

考题 熔模铸造的工艺过程可分为蜡模制作、型壳制造和()。

考题 按照制造工艺可分为半导体集成电路、薄膜集成电路和()集成电路。A、数字B、厚膜C、小规模D、专用

考题 按二极管制造工艺的不同,二极管可分为()几种。A、点接触型B、面接触型C、平面型D、点面型E、交叉平面型

考题 半导体晶体管所以具有单向导电性,是因为制造时使用特殊工艺,将P型半导体与N型半导体结合在一起,从而在P型半导体与N型半导体的接触面附近形成了PN结的缘故。

考题 集成电路按照制造工艺可分为()。A、半导体集成电路B、薄膜集成电路C、数字集成电路D、厚膜集成电路

考题 单极型半导体器件是()。A、二极管B、双极型三极管C、场效应管D、稳压管

考题 与动态MOS存储器相比,不是双极型半导体存储器的特点是()。A、速度快B、集成度高C、功耗大

考题 从制造工艺角度,半导体存储器可分为()、()、()。

考题 MOS型半导体随机存储器可分为哪两种?

考题 二极管按制造工艺的不同,二极管可分为()。A、点接触型和面接触型B、点接触型和平面型C、面接触型和平面型D、点接触型、面接触型和平面型

考题 双极型半导体工作速度比MOS型半导体快 ,因此()就是由双极型半导体构成。

考题 二极管的结是P型和( )型半导体用特殊工艺紧贴在一起的。A、NB、ZC、BD、I

考题 半导体存储器可分为()存储器和()存储器两种。

考题 根据使用功能的不同,半导体存储器可分为()和只读存储器两大类。

考题 场效应管属于()型器件,而双极型半导体三极管则可以认为是()型器件。

考题 晶体管从结构上可分成()和()两种类型,根据半导体材料不同可分为()和()管。它们工作时有()和()两种载流子参与导电,常称之为双极型晶体管。

考题 应变计按照半导体式可分为体型和薄膜型

考题 二极管是P型半导体和N型半导体接合而成的。

考题 填空题双极型半导体工作速度比MOS型半导体快 ,因此()就是由双极型半导体构成。

考题 问答题请判断下面的叙述中,哪些是正确的? (1)半导体ROM是一种非易失性存储器。 (2)半导体存储器是非永久性存储器,断电时不能保存信息。 (3)同SRAM相比,由于DRAM需要刷新,所以功耗大。 (4)由于DRAM靠电容存储电荷,所以需要定期刷新。 (5)双极型RAM不仅存取速度快,而且集成度高。 (6)目前常用的EPROM是用浮动栅雪崩注入型MOS管构成,称为FAMOS型EPROM,该类型的EPROM出厂时存储的全是“1”。

考题 问答题在双极集成电路制造中,为什么要采用外延和埋层工艺?

考题 单选题与动态MOS存储器相比,不是双极型半导体存储器的特点是()。A 速度快B 集成度高C 功耗大