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当X线照射到探测器的非晶晒层时,则产生一定比例的是()

  • A、荧光
  • B、光电子
  • C、负离子
  • D、正离子
  • E、电子-空穴对

参考答案

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考题 不是光电效应产物的是A.光电子B.正离子C.特性放射D.俄歇电子E.负离子

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考题 X线光子与构成原子的内壳层轨道电子碰撞时,将其全部能量都传递给原子的壳层电子,原子中获得能量的电子摆脱原子核的束缚,成为自由电子(光电子),而X线光子则被物质的原子吸收,这种现象称为光电效应。关于光电效应的叙述正确的是A、部分能量传递给原子的壳层电子B、原子变成负离子C、放出特征X线D、产物有光电子、负离子E、没有电子跃迁关于光电效应的产生条件及发生几率,叙述错误的是A、入射光子的能量与轨道电子结合能必须"接近相等"B、光子能量过大,反而会使光电效应的几率下降C、发生几率大约与能量的三次方成反比D、几率与原子序数的四次方成反比E、光电效应不产生有效的散射关于光电效应的影像学应用,叙述不正确的是A、患者接受的剂量多B、能产生良好的对比C、常用钼靶产生D、常用于骨骼系统摄影E、散射线少不是光电效应产物的是A、光电子B、正离子C、特性放射D、俄歇电子E、负离子

考题 关于光电效应的产物,正确的是A.轫致放射、光电子和正离子B.特征放射、光电子和负离子C.特征放射、正电子和正离子D.特征放射、光电子和正离子E.轫致放射、负电子和负离子

考题 关于光电效应的产物,正确的是A.轫致放射、光电子和正离子B.特征放射、光电子和负离子S 关于光电效应的产物,正确的是A.轫致放射、光电子和正离子B.特征放射、光电子和负离子C.特征放射、正电子和正离子D.特征放射、光电子和正离子E.轫致放射、负电子和负离子

考题 对于非晶硒探测器的说法错误的是A.在平板探测器扫描电路未清除硒层中的潜影和电容上的电荷时,可以继续使用 B.硒层的主要作用是接收X线的照射,产生电子一空穴对 C.在该平板探测器中,薄膜晶体管(TFT)起开关作用,每个TFT控制一个影像像素 D.TFT像素尺寸的大小,直接决定图像的分辨率 E.X线影像转换成数字影像的过程中,没有可见光的产生

考题 X线照射到直接FPD上时,X线光子使非晶硒激发出A.荧光 B.可见光 C.低能x射线 D.正电子 E.电子空穴对

考题 N型杂质半导体中,多数载流子是()A、正离子B、负离子C、空穴D、自由电子

考题 半导体内的载流子是()。A、正离子B、负离子C、自由电子D、自由电子与空穴

考题 X线照射到直接FPD上时,X线光子使非晶硒激发出()A、可见光B、电子空穴对C、荧光D、正电子E、低能x射线

考题 半导体中的载流子为()。A、正离子B、负离子C、电子D、自由电子和空穴

考题 P型半导体的多数载流子是()。A、空穴B、自由电子C、正离子D、负离子

考题 N型半导体中的多子是()。A、电子B、空穴C、正离子D、负离子

考题 在热激发条件下,少数价电子获得足够激发能,进入导带,产生()。A、负离子B、空穴C、正离子D、电子-空穴对

考题 P型半导体中多数载流子是()A、自由电子B、空穴C、负离子D、正离子

考题 在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子,多子(空穴)的数量=()+少子(自由电子)的数量。A、正离子数B、负离子数C、质子D、原子

考题 N型半导体以()导电为主。A、自由电子B、空穴C、正离子D、负离子

考题 单选题半导体内的载流子是()。A 正离子B 负离子C 自由电子D 自由电子与空穴

考题 单选题关于探测器说法,不正确的是(  )。A 非晶硒平板探测器的非晶硒层直接将X线转换成电信号B 太厚的非晶硒会导致其他伪影的产生C 伪影的程度取决于X线被吸收前在非晶硒内前行的距离D 探测器的设计在X线捕获和电子信号之间不产生折中E 图像持留时间限制了图像的采集速度,这对全自动曝光技术带来了负面效应

考题 单选题当X线照射到探测器的非晶晒层时,则产生一定比例的是()A 荧光B 光电子C 负离子D 正离子E 电子-空穴对

考题 单选题非晶硅探测器接收一个X线光子可产生多少个光电子?(  )A 600~800B 800~1000C 1000~1100D 1100~1200E 1200~1500

考题 单选题X线照射到直接FPD上时,X线光子使非晶硒激发出()A 可见光B 电子空穴对C 荧光D 正电子E 低能X射线

考题 单选题与光电效应无关的是(  )。A 正离子B 带电粒子C 光电子D 特性放射E 负离子

考题 单选题在P型半导体中多数载流子是(),在N型半导体中多数载流子是()。A 空穴/自由电子B 自由电子/空穴C 空穴/共价键电子D 负离子/正离子

考题 单选题N型杂质半导体中,多数载流子是()A 正离子B 负离子C 空穴D 自由电子