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在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子，多子（空穴）的数量＝（）＋少子（自由电子）的数量。

  • A、正离子数
  • B、负离子数
  • C、质子
  • D、原子

参考答案

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考题 在P型半导体中,()为多数载流子。在N型半导体中,()为多数载流子。 A、空穴，空穴B、空穴，电子C、电子，电子D、电子，空穴
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考题 自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子的杂质半导体称为P型半导体。()
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考题 下列关于P型半导体的说法正确的是()。A、自由电子`数大于空穴总数B、空穴总数远大于自由电子数C、自由电子成为多数载流子D、空穴成为少数载流子
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考题 P型半导体中空穴为少数载流子,自由电子为多数载流子。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 在N型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。 此题为判断题(对，错)。
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考题 在P型半导体中,多数载流子是电子,少数载流子是空穴。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子，导体作用主要由空穴决定。此题为判断题(对，错)。
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考题 P型半导体，又称空穴型半导体，这种半导体空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
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考题 本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。A、自由电子，空穴；扩散，飘移B、空穴，自由电子；漂移，扩散C、空穴，自由电子；扩散，漂移D、自由电子，空穴；漂移，扩散E、自由电子，空穴；扩散，扩散
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考题 P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体
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考题 在P型半导体中，（）是多数载流子。A、空穴B、电子C、硅D、锗
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考题 P型半导体中，主要依靠（）导电，（）是少数载流子。A、空穴；空穴B、空穴；自由电子C、自由电子；空穴D、自由电子；自由电子
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考题 在N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子，多子（自由电子）的数量＝（）＋少子（空穴）的数量。A、正离子数B、负离子数C、质子D、原子
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考题 N型半导体中，自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。
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考题 P型半导体的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
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考题 在P型半导体中，（）是少数载流子。A、空穴B、电子C、硅D、锗
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考题 对半导体而言，其正确的说法是（）A、P型半导体多数载流子为空穴，所以它带正电B、N型半导体多数载流子为自由电子，所以它带负电C、P型半导体和N型半导体本身都不带电D、在N型半导体中，空穴是多子，自由电子是少子
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考题 P型半导体的多数载流子是空穴，少数载流子是（）
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考题 P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（）
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考题 在N型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
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考题 在P型半导体中空穴是（）载流子，电子是（）载流子。
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考题 半导体的空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体
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考题 P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体
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考题 单选题在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子，多子（空穴）的数量＝（）＋少子（自由电子）的数量。A 正离子数B 负离子数C 质子D 原子
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考题 判断题在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。A 对B 错
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考题 单选题在P型半导体中多数载流子是（），在N型半导体中多数载流子是（）。A 空穴／自由电子B 自由电子／空穴C 空穴／共价键电子D 负离子／正离子
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考题 单选题在N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子，多子（自由电子）的数量＝（）＋少子（空穴）的数量。A 正离子数B 负离子数C 质子D 原子
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