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电子束百分深度剂量曲线的高剂量“坪区”的形成原因是()

  • A、电子束无明显建成效应
  • B、电子束的皮肤剂量较高
  • C、电子束的照射范围平坦
  • D、电子束射程较短
  • E、电子束容易被散射

参考答案

更多 “电子束百分深度剂量曲线的高剂量“坪区”的形成原因是()A、电子束无明显建成效应B、电子束的皮肤剂量较高C、电子束的照射范围平坦D、电子束射程较短E、电子束容易被散射” 相关考题
考题 电子束会在铅挡和组织接触的界面处产生电子束的(),使界面处的剂量增加。A、侧向散射B、反向散射C、偏转D、直射E、加速

考题 电子束斜入射对百分深度剂量的影响是()A、源于电子束的侧向散射效应B、距离平方反比造成的线束的扩散效应C、源于电子束的侧向散射效应和距离平方反比造成的线束的扩散效应的双重作用的结果D、源于电子束的偏射角度E、源于射程的增加

考题 电子束的百分深度剂量随照射野增大而变化极小的条件是,照射野的执行与电子束射程比值()A、大于1B、等于1C、大于0.5D、等于0.5E、小于0.5

考题 电子束百分深度剂量随能量的改变而改变,其变化特点是()A、随着电子束能量的增加,其表面剂量降低、高剂量坪区变窄、剂量跌落梯度增加,并且X线污染减小B、随着电子束能量的增加,其表面剂量降低、高剂量坪区变宽、剂量跌落梯度减少,并且X线污染增加C、随着电子束能量的增加,其表面剂量增加、高剂量坪区变宽、剂量跌落梯度减少,并且X线污染增加D、随着电子束能量的增加,其表面剂量增加、高剂量坪区变窄、剂量跌落梯度增加,并且X线污染增加E、随着电子束能量的增加,其表面剂量增加、高剂量坪区变宽、剂量跌落梯度减少,并且X线污染减小

考题 不属于高能电子束百分深度剂量的是()A、剂量建成区B、低剂量坪区C、高剂量坪区D、X射线污染区E、剂量跌落区

考题 术中照射时使用电子束和近距离治疗的比较,哪项错误()A、电子束治疗技术难度小,近距离治疗技术难度大B、电子束的剂量较复杂C、电子束治疗是一次照射,近距离治疗可分割照射D、电子束治疗的合并症较多,近距离治疗合并症较少E、电子束治疗的成本较高,近距离治疗的成本较低

考题 高能电子束的深度剂量曲线分为剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区和X射线污染区,治疗肿瘤时应使靶区位于()A、剂量建成区B、高剂量坪区C、剂量建成区和高剂量坪区D、高剂量坪区和剂量跌落区E、剂量跌落区和X射线污染区

考题 关于高能电子束百分深度剂量曲线特点的正确描述是()。A、大致分4部分:剂量建成区,高剂量坪区,剂量跌落区,X射线污染区B、大致分2部分:剂量建成区,剂量指数形式衰减区C、大致分3部分:高剂量坪区,剂量指数形式衰减区,X线污染区D、剂量由表面开始逐渐增加,达到峰值后,剂量随深度增加而成指数形式衰减E、和低能X线的百分深度剂量曲线形式一样

考题 电子束旋转照射计划设计的内容是()A、依据CT图像确定治疗范围和深度B、设计体表限束器的形状和范围C、确定电子束能量和填充物厚度D、选择等中心位置,计算次级电子束准直器宽度,求出处方剂量E、以上各项

考题 关于照射野对百分深度剂量的影响,哪项错误()?A、照射野越大,影响越大B、电子束射程越短,影响越大C、低能时,影响较大D、当照射野的直径大于电子束射程的1/2时,影响较小E、当照射野的直径大于电子束射程的2/3时,影响较大

考题 X(γ)线、电子束混合照射的物理原理是()。A、电子束的较高皮肤剂量和X(γ)线的较高的深部剂量B、X(γ)较低的皮肤剂量和电子束的有效治疗漃、深度C、X(γ)线的指数吸收规律和电子束的相对剂量坪区D、电子束的有效治疗深度和X(γ)线的指数吸收规律E、电子束的有效射程

考题 影响高能电子束百分深度剂量的因素有哪些?

考题 电子束百分深度剂量随源皮距增加而变化的特点,哪项错误()A、表面剂量增加B、最大剂量深度变深C、X射线污染增加D、剂量梯度变陡E、高能电子束较低能电子束变化显著

考题 不属于高能电子束百分深度剂量曲线组成部分的是()A、剂量建成区B、高剂量坪区C、X射线污染区D、剂量跌落区E、指数衰减区

考题 高能电子束百分深度剂量分布曲线后部有一长长的”拖尾”,其形成原因是()A、随深度增加,等剂量线向外侧扩张B、电子束入射距离较远C、电子束入射能量较高D、电子束中包含一定数量的X射线E、电子束在其运动径迹上不易被散射

考题 确定电子束的能量,经典的方法是测量电子束的()A、能谱B、吸收剂量C、韧致辐射污染D、特征辐射E、射程

考题 描述电子束百分深度剂量的参数不包括()A、DS(表面剂量)B、DX(韧致辐射剂量)C、Rr(剂量规定值深度)D、RP(射程)E、Dr(剂量规定值)

考题 描述照射对电子束百分深度剂量的影响,正确的是()A、较高能量的电子束,照射野对百分深度剂量无影响B、较低能量的电子束,照射野对百分深度剂量无影响C、较低能量的电子束,较大照射野对百分深度剂量影响较大D、较高能量的电子束,较大照射野对百分深度剂量影响较大E、较高能量的电子束,较小照射野对百分深度剂量影响较大

考题 关于高能电子束的百分深度剂量,描述错误的是()A、剂量建成区B、低剂量坪区C、高剂量坪区D、剂量跌落区E、X射线污染区

考题 高能电子线等剂量线分布的显著特点是()。A、随深度的增加,低值等剂量线向外侧扩张,高值等剂量线向内收缩,并随电子束能量而变化B、随深度的增加,低值等剂量线向内收缩,高值等剂量线向外侧扩张,并随电子束能量而变化C、随深度的增加,低值等剂量线向外侧扩张,高值等剂量线向内收缩,不随电子束能量而变化D、随深度的增加,低值等剂量线向内收缩,高值等剂量线向内收缩,不随电子束能量而变化E、随深度的增加,低值等剂量线向外侧扩张,高值等剂量线向外侧扩张,并随电子束能量而变化

考题 下列对高能电子束描述正确的是()。A、在组织中具有一定射程,射程与电子能量成正比B、与深部X线特点相同C、从体表到某一深度,剂量分布不均D、组织内等剂量曲线变化不明显E、骨、脂肪、肌肉等对电子束的吸收差别较大

考题 高能电子束的PDD曲线可大致分为以下几个区域()。A、剂量建成区、高剂量坪区、低剂量区B、表面剂量区、低剂量坪区、剂量上升区C、表面剂量区、剂量跌落区、低剂量坪区以及X射线污染区D、表面剂量区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区E、剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区

考题 单选题高能电子线等剂量线分布的显著特点包括(  )。A 随深度的增加,低值等剂量线向外侧扩张,高值等剂量线向内收缩,并随电子束能量而变化B 随深度的增加,低值等剂量线向内收缩,高值等剂量线向外侧扩张,并随电子束能量而变化C 随深度的增加,低值等剂量线向外侧扩张,高值等剂量线向内收缩,不随电子束能量而变化D 随深度的增加,低值等剂量线向内收缩,高值等剂量线向内收缩,不随电子束能量而变化E 随深度的增加,低值等剂量线向外侧扩张,高值等剂量线向外侧扩张,并随电子束能量而变化

考题 单选题下列对高能电子束描述正确的是()A 在组织中具有一定射程,射程与电子能量成正比B 与深部X线特点相同C 从体表到某一深度,剂量分布不均D 组织内等剂量曲线变化不明显E 骨、脂肪、肌肉等对电子束的吸收差别较大

考题 单选题不属于高能电子束百分深度剂量的是()A 剂量建成区B 低剂量坪区C 高剂量坪区D X射线污染区E 剂量跌落区

考题 单选题电子束百分深度剂量分布随能量变化十分明显。随着电子束能量的增加()。A 表面剂量不变,高剂量坪区不变B 表面剂量不变,高剂量坪区变宽C 表面剂量增加,高剂量坪区变窄D 表面剂量增加,高剂量坪区变宽E 表面剂量减小,高剂量坪区变窄

考题 单选题X(γ)线、电子束混合照射的物理原理是()。A 电子束的较高皮肤剂量和X(γ)线的较高的深部剂量B X(γ)较低的皮肤剂量和电子束的有效治疗漃、深度C X(γ)线的指数吸收规律和电子束的相对剂量坪区D 电子束的有效治疗深度和X(γ)线的指数吸收规律E 电子束的有效射程