考题
英文缩写CCD代表的是A.薄膜晶体管B.平板探测器C.检出量子效率D.电荷耦合器件E.多丝正比室
考题
应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是()。A.CCD检测器B.IP成像转换器C.直接转换平板探测器D.间接转换平板探测器E.多丝正比室检测器
考题
目前最常用的DR系统为A.CsI+CCD阵列B.非晶硅平板探测器C.非晶硒平板探测器D.多丝正比电离室E.计算机X线摄影
考题
应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是A.砸鼓检测器B.IP成像转换器C.直接转换平板探测器D.间接转换平板探测器E.多丝正比室检测器
考题
英文缩写“CCD”是一种
A、影像板B、平板探测器C、薄膜晶体管D、发光二极管E、电荷耦合器件
考题
应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是A.IP成像转换器
B.直接转换平板探测器
C.间接转换平板探测器
D.硒鼓检测器
E.多丝正比室检测器
考题
关于DR探测器的类型，错误的是A.非晶硒平板型探测器
B.非晶硅平板型探测器
C.碘化铯平板型探测器
D.多丝正比室扫描DR
E.CCD摄像机型DR
考题
需通过光敏元件成像的探测器是（）A、空气电离室B、CCD探测器C、多丝正比电离室D、半导体狭缝扫描仪E、直接转换平板探测器
考题
英文缩写“CCD”称为（）A、影像板B、平板探测器C、簿膜晶体管D、发光二极管E、电荷耦合器件
考题
DR成像设备类型包括（）。A、非晶硒平板型探测器B、非晶硅平板探测器型C、IP成像方式D、多丝正比室扫描投影DRE、CCD摄像机型DR
考题
英文缩写CCD代表的是（）。A、薄膜晶体管B、平板探测器C、检出量子效率D、电荷耦合器件E、多丝正比室
考题
应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是（）A、硒鼓检测器B、IP成像转换器C、直接转换平板探测器D、间接转换平板探测器E、多丝正比室检测器
考题
应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是（）A、CCD检测器B、IP成像转换器C、直接转换平板探测器D、间接转换平板探测器E、多丝正比室检测器
考题
单选题应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是（ ）。A
硒鼓检测器B
CR成像板（IP）C
直接转换平板探测器D
间接转换平板探测器E
多丝正比室检测器
考题
单选题英文缩写“CCD”称为（）A
影像板B
平板探测器C
簿膜晶体管D
发光二极管E
电荷耦合器件
考题
单选题应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是（）A
硒鼓检测器B
IP成像转换器C
直接转换平板探测器D
间接转换平板探测器E
多丝正比室检测器
考题
单选题应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是（ ）。A
间接转换平板探测器B
硒鼓检测器C
直接转换平板探测器D
IP成像转换器E
多丝正比室检测器
考题
单选题英文缩写CAD代表的是（ ）。A
平板探测器B
薄膜晶体管C
计算机辅助检测D
自动曝光控制E
电荷耦合器件
考题
单选题英文缩写“CCD”是一种（）。A
影像板B
平板探测器C
薄膜晶体管D
发光二极管E
电荷耦合器件
考题
单选题英文缩写CCD代表的是（ ）。A
薄膜晶体管B
平板探测器C
检出量子效率D
电荷耦合器件E
多丝正比室
