英文缩写CCD代表的是A.薄膜晶体管B.平板探测器C.检出量子效率D.电荷耦合器件E.多丝正比室

题目内容（请给出正确答案）

英文缩写CCD代表的是

A.薄膜晶体管

B.平板探测器

C.检出量子效率

D.电荷耦合器件

E.多丝正比室

参考答案

考题应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是A.硒鼓检测器B.CR成像板(IP)C.直接转换平板探测器D.间接转换平板探测器E.多丝正比室检测器

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考题应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是()。A.CCD检测器B.IP成像转换器C.直接转换平板探测器D.间接转换平板探测器E.多丝正比室检测器

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考题关于DR探测器的类型，错误的是A．非晶硒平板型探测器B．非晶硅平板型探测器C．碘化铯平板型探测器D．多丝正比室扫描DRE．CCD摄像机型DR

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考题目前最常用的DR系统为A.CsI+CCD阵列B.非晶硅平板探测器C.非晶硒平板探测器D.多丝正比电离室E.计算机X线摄影

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考题应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是A.砸鼓检测器B.IP成像转换器C.直接转换平板探测器D.间接转换平板探测器E.多丝正比室检测器

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考题英文缩写“CCD”是一种 A、影像板B、平板探测器C、薄膜晶体管D、发光二极管E、电荷耦合器件

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考题数字X线摄影(DR)不包括A.直接转换平板探测器B.间接转换平板探测器C.多丝正比室探测器D.闪烁体+CCD摄像机阵列E.线扫描计算机X线摄影

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考题应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是A.IP成像转换器 B.直接转换平板探测器 C.间接转换平板探测器 D.硒鼓检测器 E.多丝正比室检测器

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考题关于DR探测器的类型，错误的是A.非晶硒平板型探测器 B.非晶硅平板型探测器 C.碘化铯平板型探测器 D.多丝正比室扫描DR E.CCD摄像机型DR

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