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2、当温度升高时，关于本征半导体中的载流子数量的变化下面说法正确的是（）。

A．空穴个数增加，自由电子个数基本不变

B．空穴和自由电子的个数都增加，且数量相等

C．自由电子个数增加，空穴个数基本不变

D．空穴和自由电子的个数均保持不变

参考答案和解析
自由电子和空穴的数量都增加
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考题 在温度升高时,本征半导体中载流子的数量将()
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考题 当本征半导体温度升高时,电子和空穴的数目都()。
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考题 本征半导体的载流子是()。
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考题 本征半导体温度升高后，两种载流子浓度不再相等。()
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考题 下列物质中载流子最多的是()。A.本征半导体B.掺杂半导体C.导体D.绝缘体
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考题 本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。A、自由电子，空穴；扩散，飘移B、空穴，自由电子；漂移，扩散C、空穴，自由电子；扩散，漂移D、自由电子，空穴；漂移，扩散E、自由电子，空穴；扩散，扩散
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考题 对于P型半导体来说，下列说法正确的是：（）。A、在本征半导体中掺入微量的五价元素形成的；B、它的载流子是空穴；C、它对外呈现正电；D、它的多数载流子是空穴。
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考题 本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
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考题 关于本征半导体载流子，下面描述错误的是：（）A、自由电子和空穴总是成对出现B、电子可以自由移动，空穴不能自由移动C、在温度升高和受光照射时，载流子的数目将增加D、自由电子和空穴在外电场作用下，运动方向相反，形成的电流方向相同，总电流是两者之和
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考题 对于P型半导体来说，下列说法正确的是：（）A、在本征半导体中掺入微量的五价元素形成的B、它的载流子是空穴C、它对外呈现正电D、以上说法都错
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考题 杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）A、变大，变小B、变小，变大C、变小，变小D、变大，变大
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考题 N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的（）价元素组成的。这种半导体的多数载流子为（），少数载流子为（）。不能移动的杂质离子带（）电。
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考题 P型半导体的多子为（）、N型半导体的多子为（）、本征半导体的载流子为（）。
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考题 本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是（）。
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考题 本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是（）；若掺入微量的三价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是（）。
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考题 在本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是（）型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）；若在本征半导体中掺入少量的五价元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
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考题 半导体中有（）和（）两种载流子，在本征半导体中掺着（）阶元素，可形成P型半导体。
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考题 本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目（）.
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考题 当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（）A、增加B、减少C、不变
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考题 杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？
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考题 温度升高，本征载流子浓度（）；杂质半导体中少子浓度（），多子浓度（）
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考题 温度升高后本征半导体中自由电子与空穴两种载流子浓度将不再相等。
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考题 下列物质中载流子最多的是（）。A、本征半导体B、掺杂半导体C、导体D、绝缘体
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考题 本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有（）A、电子载流子B、空穴载流子C、电子载流子和空穴载流子
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考题 单选题杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）A 变大，变小B 变小，变大C 变小，变小D 变大，变大
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考题 填空题本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
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考题 单选题对于P型半导体来说，下列说法正确的是：（）A 在本征半导体中掺入微量的五价元素形成的B 它的载流子是空穴C 它对外呈现正电D 以上说法都错
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考题 判断题本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。A 对B 错
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