考题
就PN结的结电容大小进行比较,正向偏置时比反向偏置时的结电容();就PN结的结电容对性能影响,正向偏置时比反向偏置时的影响()。
A、多B、少C、大D、小
考题
两个100pf的电容相串联,其总电容等于()。
A、100pfB、200pfC、50fp
考题
当外加电压为零时,PN结的结电容最小。()
此题为判断题(对，错)。
考题
当外加反向电压增加时,PN结的结电容减小。()
此题为判断题(对，错)。
考题
微波电路中所使用的变容二极管主要特性是（）。A、结电容随反向电压线性变化B、结电容随着反向电压向负方向增大而减小C、反向电压变化不影响结电容变化
考题
平面型二极管的特点是（）。A、PN结面积较小时结电容小B、可用于脉冲数字电路中C、PN结面积较大时通过的电流较大D、可用于大功率整流E、模拟电路中
考题
集成电路中的元件具有以下特点（）。A、元件的性能一致B、对称性好C、不适于作差动放大电路D、制造三极管比制造电阻多用硅片E、电容是PN结的结电容
考题
集成电路中的电容是用PN结的结电容，一般小于（）PF，如必须用大电容时可以外接。A、10B、100C、1000D、10000
考题
面接触型二极管的特点是（）。A、PN结面积大B、结电容较大C、只能在低频下工作D、允许通过的电流较大E、常用于整流
考题
二极管最高工作频率，主要取决于PN结的（）的大小。A、材料B、最大整定电流C、结电容D、反向电流
考题
点接触型二极管的特点是（）。A、PN结面积小B、结电容小，通过的电流小C、常用于高频、检波D、以上三项
考题
稳压管是利用（）特性来实现稳压功能的。A、PN结的单向导电B、PN结的反向击穿C、PN结的正向导通D、结电容使波形平滑
考题
变容二极管是一种利用pn结电容（或接触势垒电容）与其反向偏置电压vr的依赖关系及原理制成的二极管，其反偏电压愈大，结电容愈大。（）
考题
在集成电路中，最容易制造的元件是（）A、大电阻B、大电容C、电感D、晶体管
考题
集成电路中元器件的特点是（）。A、集成电路中元器件的性能比较一致，对称性好，适于作差动放大电路B、由于制造三极管比制造电阻器节省硅片，且工艺简单，故集成电路中三极管用得多，电阻用得少C、集成电路中的电容是用PN结的结电容，一般小于100PFD、集成电路中的三极管是低频小功率管E、集成电路中的二极管是高性能管
考题
在集成电路中，因制造方便的原因，（）用的较多。A、三极管B、电阻C、电容D、电感
考题
引起放大器放大倍数在高频段下降的原因是因为（）。A、电路中的耦合电容B、电路中的旁路电容C、电路中三极管的结电容
考题
当PN结反向工作时，其结电容主要是（）A、势垒电容B、扩散电容C、平面电容D、势垒和扩散电容并存
考题
影响放大器下限频率fL的因素是（）。A、晶体管β值B、晶体管α值C、PN结电容D、耦合电容
考题
当加在变容二极管上的负偏压向负的方向增大时，它的结电容（）当负偏绝对值减小时，结电容（）
考题
点接触型二极管的特点是（）。A、结电容大，不适用高频B、因结面积小，不适用高频C、结电容小，可用于高频
考题
电容型设备绝缘在线监测装置电容量的测量范围为（）。A、100pF～50000pFB、10pF～10000pFC、100pF～10000pFD、10pF～50000pF
考题
单选题微波电路中所使用的变容二极管主要特性是（）。A
结电容随反向电压线性变化B
结电容随着反向电压向负方向增大而减小C
反向电压变化不影响结电容变化
考题
判断题器件电容决定MOS晶体管的动态特性，门电容和源漏结电容是主要的确定因素。A
对B
错
