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抑制性突触后电位()

A、是去极化局部电位

B、具有全或无性质

C、是超极化局部电位

D、是突触前膜递质释放量减少所致

E、是突触后膜Na+通透性增加所致


参考答案

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考题 请简要说明抑制性突触后电位是怎样产生的?

考题 膜对哪种离子的通透性升高时,可产生抑制性突触后电位( )。

考题 抑制性突触后电位是指突触后膜局部去极化。() 此题为判断题(对,错)。

考题 由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同,突触后电位的类型包括A、兴奋性突触后电位和局部电位B、抑制性突触后电位和局部电位C、兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位D、兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位E、兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位

考题 产生抑制性突触后电位的主要离子基础是( )。

考题 产生抑制性突触后电位的主要离子流是( )

考题 A.K B.Na C.Ca D.Cl E.H可产生抑制性突触后电位的离子基础是

考题 抑制性突触后电位发生的原因主要是:A. B. C. D.

考题 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对( )的通透性增加所致。

考题 抑制性突触后电位是由于突触后膜出现了去极化。()