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载流子的扩散运动产生扩散电流，漂移运动产生（）电流。

  • A、漂移
  • B、隧道
  • C、扩散

参考答案

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考题 载流子的漂移运动与扩散运动方向相同。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 PN结加正向电压时,其正向电流是由()的。 A、多数载流子扩散而成B、多数载流子漂移而成C、少数载流子扩散而成D、少数载流子漂移而成
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考题 PN结加正向电压时,()。A、扩散运动大于漂移运动B、扩散运动小于漂移运动C、扩散运动与漂移运动平衡D、没有运动
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考题 载流子从浓度大的地方向浓度小的地方运动称为()。 A、漂移运动B、扩散运动
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考题 PN结反向工作时,流过的电流主要是()。 A.扩散电流B.漂移电流C.传导电流D.扩散与漂移电流并存
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考题 当P—N结承受反向电压时，其内部电流关系为（）A.扩散电流大于漂移电流 B.扩散电流等于漂移电流 C.扩散电流小于漂移电流 D.无法确定
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考题 8)在NP结处发生多数载流子扩散运行，少数载流子漂移运动，结果形成了空间电荷区。（ ）
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考题 本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。A、自由电子，空穴；扩散，飘移B、空穴，自由电子；漂移，扩散C、空穴，自由电子；扩散，漂移D、自由电子，空穴；漂移，扩散E、自由电子，空穴；扩散，扩散
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考题 PN结加反向电压（数值小于击穿电压）时：（）。A、空间电荷区变宽，漂移运动大于扩散运动B、空间电荷区变窄，漂移运动大于扩散运动C、空间电荷区变窄，扩散运动大于漂移运动D、空间电荷区变宽，扩散运动大于漂移运动
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考题 PN宽度稳定后，（）。A、载流子停止运动B、只有多数载流子的扩散运动C、扩散与漂移运行达到动态平衡D、只有少数载流子的漂移运动
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考题 当二极管加反向电压时，二极管将有很小的反向电流流过，这个反向电流是由P型和N型半导体中少数载流子的漂移运动产生的。
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考题 当二极管加反向电压时，二极管将有很小的反向电流通过，这个反向电流是由P型和N型半导体中少数载流子中漂移运动产生的。
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考题 当二极管加正向电压时，二极管将有很大的正向电流通过，这个正向电流是由P型和N型半导体中多数载流子的扩散运动产生的。
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考题 PN结的宽度稳定后（）。A、载流子停止运动B、只有多数载流子的扩散运动C、扩散与漂移运动达到动态平衡
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考题 半导体的界面或表面被（）产生载流子后，生成的（）和（）由于载流子的作用向相反的方向漂移，引起载流子极化，从而产生了因光照射引起的电流。
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考题 PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动，即（）A、载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的扩散B、载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的漂移C、载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的扩散D、载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的漂移
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考题 在外电场作用下，漂移电流主要是（）运动引起，扩散电流主要是（）运动引起。A、多子，少子B、少子，多子C、多子，多子D、少子，少子
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考题 在平衡p-n结中，由内件电场VD作用下形成的漂移电流等于载流子浓度差形成的扩散电流，而使p-n结中的静电流为零。
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考题 PN结中载流子的漂移运动是由于（）而产生的。
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考题 在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于（）而产生的，漂移运动是（）作用下产生的。
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考题 PN结反向工作时，流过的电流主要是（）A、扩散电流B、漂移电流C、传导电流D、扩散和漂移电流并存
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考题 二极管加正向电压时，其正向电流是由（）。A、多数载流子扩散形成B、多数载流子漂移形成C、少数载流子漂移形成
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考题 在PN结的形成过程中，载流子扩散运动是（）作用下产生的，漂移运动是（）作用下产生的。
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考题 当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。当外加反向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。
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考题 在NP结处发生多数载流子扩散运行，少数载流子漂移运动，结果形成了空间电荷区。
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考题 单选题载流子的扩散运动产生扩散电流，漂移运动产生（）电流。A 漂移B 隧道C 扩散
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考题 单选题PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动，即（）A 载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的扩散B 载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的漂移C 载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的扩散D 载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的漂移
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