考题
二极管加正向电压时,PN结变窄,正向电流较大,正向电阻较小,PN结处于截止状态。()
此题为判断题(对，错)。
考题
极管如果采用正向接法，稳压二极管将（）A、稳压效果变差B、稳定电压变为二极管的正向导通压降C、截止D、稳压值不变，但稳定电压极性发生变化
考题
二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
考题
在二极管两端加正向电压时，正向电流（），二极管处于（）状态。
考题
已知一只二极管的正向压降为0.7V，通过它的电流为50mA，此情况下，二极管的正向电阻为（）Ω
考题
晶体二极管所加正向电压小于其截止区电压时，则二极管处于（）状态。A、导通B、截止C、电击穿D、热击穿
考题
二极管正向导通后，正向管压降几乎不随电流变化。
考题
二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（）
考题
要使二极管正向导通，外加正向电压必须大于二极管的死区电压。
考题
常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
考题
二极管正向导通时的正向电压值称为管压降，一般小功率硅管的管压降可为（）V。A、0.6B、0.7C、0.8D、1.0
考题
在常温下，硅二极管的开启电压是（）V，导通后在较大电流下时正向压降约（）V。
考题
在常温下，硅二极管的开启电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
考题
从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。A、0B、死区电压C、反向击穿电压D、正向压降
考题
在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。
考题
二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
考题
在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
考题
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（）V。
考题
锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。
考题
变容二极管和稳压二极管正常工作状态下，应该加什么样的电压：正向、反向、前者正向后者反向、前者反向后者正向？
考题
问答题变容二极管和稳压二极管正常工作状态下，应该加什么样的电压：正向、反向、前者正向后者反向、前者反向后者正向？
考题
单选题使用数字万用表“二极管档”检查二极管的好坏，当二极管正接时显示的数值为二极管的（）值。A
正向电阻B
正向电流C
正向压降D
正向管耗
考题
填空题锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。
考题
填空题常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
考题
填空题硅二极管的正向电压降一般为（）左右;锗二极管的正向电压一般为（）左右。
