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问答题
阈值电压VT的功能是什么?

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考题 船风VS、视风VA和真风VT三者的矢量关系式为()。 A、VS+VA+VT=0B、VS+VA=VTC、VS+VT=VAD、VA+VT=VS

考题 肺总容量为()。 A.残气量(RV)+肺活量(VC)B.肺活量(VC)+功能余气量(FRC)C.潮气量(VT)+残气量(RV)D.潮气量(VT)+功能余气量(FRC)E.潮气量(VT)+补呼气量(ERV)+残气量(RV)+补吸气量(IRV)

考题 施密特触发器有两个阈值电压,分别称作()。 A.正向阈值电压B.反向阈值电压C.高电压D.低电压

考题 ()是引起ALI的独立危险因素。 A、大Vt和高气道压B、小Vt和高气道压C、大Vt和低气道压D、小Vt和低气道压

考题 在图题10-1所示的电路中,已知R1=10kΩ, R2=30kΩ,其中CMOS非门电路的电源电压Vcc=6V。①计算该电路的正向阈值电压VT+、负向阈值电压VT-和回差电压△VT。②画出该电路的传输特性曲线。③画出图示波形输入下的输出电压Vo波形。

考题 设所有的二极管X晶体管为硅管,二极管正向压降为0.3V,晶体管发射结导通压降UBE=0.7V,则图中各晶体管的工作状态正确的是(  )。 A. VT1饱和,VT2饱和 B. VT1截止,VT2饱和 C. VT1截止,VT2放大 D. VT1放大,VT2放大

考题 Intel在其自身CPU上应用的硬件辅助虚拟化技术称为()A、VT-aB、VT-yC、VT-xD、VT-z

考题 阈值电压

考题 混合液晶的阈值电压主要取决于液晶的介电各项异性Δε,Δε大,有利于降低液晶的阈值电压。()

考题 迟滞比较器的回差电压△U是指()。A、正向阈值电压与负向阈值电压之差B、最大输出正电压与负电压之差C、最大输入电压与最小输入电压之差D、输出电压与输人电压之差

考题 滞回比较器的回差ΔU是指()。A、正向阈值电压UTH1与负向阈值电压UTH2之差;B、最大输出正电压和负电压之差;C、最大输入电压与最小输入电压之差

考题 肺总容量为()A、残气量(RV)+肺活量(VC.B、肺活量(VC.+功能余气量(FRC.C、潮气量(VT)+残气量(RV)D、D.潮气量(VT)+功能余气量(FRE、潮气量(VT)+补呼气量(ERV)+残气量(RV)+补吸气量(IRV)

考题 肺总容量为()。A、残气量(RV)+肺活量(VC)B、肺活量(VC)+功能余气量(FRC)C、潮气量(VT)+残气量(RV)D、潮气量(VT)+功能余气量(FRC)E、潮气量(VT)+补呼气量(ERV)+残气量(RV)+补吸气量(IRV)

考题 比较器()电平发生跳变时的()电压称为阈值电压,过零电压比较器的阈值电压是()。只有一个阈值电压的比较器称为()比较器;而具有两个阈值电压的比较器称为()比较器。

考题 肺总容量为()A、残气量RV+肺活量VCB、肺活量VC+功能余气量FRCC、潮气量VT+残气量RVD、潮气量VT+功能余气量FRCE、潮气量VT+补呼气量ERV

考题 施密特触发器的正向阈值电压一定大于负向阈值电压。

考题 问答题什么是MOSFET的阈值电压,它受哪些因素影响?

考题 问答题什么叫阈值电压?阈值电压是否可变?阈值电压为负时称为什么电压?

考题 问答题根据阈值电压不同,常把MOS器件分为几种?

考题 单选题肺总容量为()A 残气量RV+肺活量VCB 肺活量VC+功能余气量FRCC 潮气量VT+残气量RVD 潮气量VT+功能余气量FRCE 潮气量VT+补呼气量ERV

考题 问答题什么是MOS管的阈值电压?

考题 名词解释题阈值电压

考题 单选题三相桥式全控整流电路对触发脉冲的要求,按VT1-VT2-VT3-VT4-VT5-VT6的顺序,相位依次差()度。A 0B 60C 90D 180

考题 判断题改变氧化层厚度可以控制阈值电压。A 对B 错

考题 单选题船风VS、视风VA和真风VT三者的矢量关系式为()。A VS+VA+VT=0B VS+VA=VTC VS+VT=VAD VA+VT=VS

考题 填空题衬底偏置电压会影响MOS器件的阈值电压,反向偏置电压增大,则MOS器件的阈值电压也随之增大,这种效应称为()

考题 问答题阈值电压VT与衬底掺杂浓度是什么关系?采取什么方式或手段以调整VT大小?影响VT的其它因素有哪些?