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在计算机中,存储器分可刷新存储器和不可刷新存储器两种。


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考题 显示适配器作为CRT和CPU的接口由哪几部分组成?() A、刷新存储器B、显示控制器C、ROMBIOSD、存储器带宽

考题 在Intel 2164动态RAM存储器中,对存储器刷新的方法是( )。A.每次一个单元B.每次刷新512个单元C.每次刷新256个单元D.一次刷新全部单元

考题 需要进行刷新的存储器是( )。A.SRAMB.DRAMC.ROMD.EPROM

考题 动态存储器,DRAM的三种刷新方式是()。A.集中刷新 B.分散刷新 C.同步刷新 D.异步式刷新

考题 用容量为16K×1的DRAM芯片构成64KB的存储器。设存储器的读/写周期均为0.5μs,CPU在1μs内至少要访存一次,试问采用哪种刷新方式比较合理?相邻两行之间的刷新间隔是多少?对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少?

考题 刷新存储器的重要性能指标是它的带宽,若显示工作方式采用分辨率为1024╳1024,颜色深度为24位,帧频(刷新速率)为72Hz,求刷新存储器的容量是多少?

考题 需要定期刷新的存储器类型为()A、静态存储器B、动态存储器C、只读存储器D、易失性存储器

考题 DRAM存储器采用何种方式刷新?有哪几种常用的刷新方式?

考题 何谓刷新存储器?其存储容量与什么因素有关?

考题 MOS型半导体随机存储器可分为()和()两种,后者在使用过程中每2ms内要刷新一次。

考题 下列关于半导体存储器说法中正确的是()。A、半导体存储器可分为静态存储器和动态存储器两种类型B、半导体存储器都是挥发性的,即只要关机(切断电源),所存储的信息就会全部丢失C、静态存储器,即使不断电,存储单元所存储的信息也会慢慢丢失D、动态存储器需要不断刷新

考题 静态MOS存储器与动态MOS存储器存储信息的原理有何不同?为什么动态MOS存储器需要刷新?一般有哪几种刷新方式?

考题 需要定时刷新的存储器是()A、SRAMB、DRAMC、EPROM

考题 半导体随机存储器需要配置刷新电路,以便按时刷新。

考题 DRAM是()。A、只能读出的存储器B、只能写入的存储器C、不关机信息静态保存的存储器D、信息需定时刷新的读/写存储器

考题 动态RAM的特点是什么?动态RAM存储器芯片刷新工作的条件是什么?一个64K位芯片每刷新一次可刷新多少个存储单元?

考题 有一个64K×16位的存储器,由16K×1位的DRAM芯片(芯片内是128×128结构)构成,存储器读/写周期为500ns,试问: 1)需要多少片DRAM芯片? 2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少? 3)如果采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少时间?

考题 静态存储器需要刷新,否则信息丢失。

考题 在计算机中,存贮器分可刷新存贮器和不可刷新存贮器两 种。

考题 单选题DRAM是()。A 只能读出的存储器B 只能写入的存储器C 不关机信息静态保存的存储器D 信息需定时刷新的读/写存储器

考题 单选题需要定期刷新的存储器类型为()A 静态存储器B 动态存储器C 只读存储器D 易失性存储器

考题 判断题半导体随机存储器需要配置刷新电路,以便按时刷新。A 对B 错

考题 问答题有一个64K×16位的存储器,由16K×1位的DRAM芯片(芯片内是128×128结构)构成,存储器读/写周期为500ns,试问: 1)需要多少片DRAM芯片? 2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少? 3)如果采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少时间?

考题 问答题DRAM存储器为什么要刷新?有几种刷新方式?

考题 问答题静态MOS存储器与动态MOS存储器存储信息的原理有何不同?为什么动态MOS存储器需要刷新?一般有哪几种刷新方式?

考题 问答题DRAM存储器采用何种方式刷新?有哪几种常用的刷新方式?

考题 问答题刷新存储器的重要性能指标是它的带宽,若显示工作方式采用分辨率为1024╳1024,颜色深度为24位,帧频(刷新速率)为72Hz,求刷新存储器的容量是多少?