考题
停车后不用记触媒床层的温度。()
此题为判断题(对，错)。
考题
触媒使用中期，操作上要严格控制床层温度低于（）℃。A、245B、235C、225D、215
考题
23#触媒为何要再生（）A、提高床层温度B、提高触媒活性C、降低床层温度
考题
23#触媒再生时，催化剂床层升温速率控制在（）。
考题
在触媒使用一段时间后，如果循环气中一氧化碳含量持续上升，为控制其含量的稳定，采用调节（）。A、增加循环机转速B、降低循环气中的惰性气含量C、提高触媒床层温度D、提高循环量
考题
硫化主期分两个阶段：触媒床层升到350℃—400℃，触媒床层各点温度为400℃—450℃。
考题
提高合成塔汽包压力，下面（）工艺参数显示上升。A、触媒床层温度B、系统操作压力C、合成塔压差D、驰放气流量
考题
通过以下（）操作，能提高甲醇触媒床层温度A、减少汽包排污量B、增加汽包排污量C、提高汽包压力D、降低汽包压力
考题
转化炉温度过高会烧坏触媒及衬里，过低会影响CH4的转化率，所以必须控制好转化触媒的床层温度。
考题
通过以下（）操作，能降低甲醇触媒床层温度A、减少汽包排污量B、减少汽包上水量C、增加合成气导入量D、增加床层循环气量
考题
甲醇合成触媒烧结后，工艺显示现象有（）。A、床层压差上升B、床层压差上升C、触媒活性大幅下降D、床层温度下降
考题
合成气导气具备的条件是（）。A、触媒床层温度180℃B、触媒床层温度190℃C、合成气总流合格D、合成气的H/C为1
考题
铁钼床层达到450℃时，还控制不住，温度还是上升，那么将会使铁钼活性组分中的钼升华，使触媒活性降低，时间长了会永久性失去活性。
考题
低变触媒钝化，必须使氮气循环在床层温度（）下，慢慢配入（），注意控制床层温升（），床层最高温度不得超过正常生产的操作温度。
考题
23#触媒再生时直到催化剂床层温度为370-400°C时为止，然后继续通蒸汽，直到气流的冷凝液在取样中大致没有杂质为止。
考题
23#系统压差增高原因（）A、床层阻力大，触媒粉化成积碳B、阀门管线堵塞C、煤气负荷降低
考题
问答题23#触媒床层温度低，对CO有何影响？
考题
问答题23#触媒床层，积碳有何影响？怎样处理？
考题
单选题23＃催化剂为什么要硫化（）A
使氧化态触媒还原，得到活性。B
使触媒变成氧化态，提高活性成分。C
使触媒中的硫得到释放。
考题
判断题23#触媒再生时直到催化剂床层温度为370-400°C时为止，然后继续通蒸汽，直到气流的冷凝液在取样中大致没有杂质为止。A
对B
错
考题
填空题23#触媒再生时，催化剂床层升温速率控制在（）。
