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停车后不用记触媒床层的温度。

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考题 干法出口总硫高是()原因造成的。 A.干法触媒床层温度低。B.触媒硫容饱和C.负荷过大D.气体成份不符合工艺要求，氨含量高，铁钼触媒中毒E.湿法脱硫出口H2S含量太高
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考题 停车后不用记触媒床层的温度。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 在操作中如何延长触媒寿命()。 A.触媒装填时，严格按方案进行，严防架桥现象B.不必执行三低、三稳、三不、三控制原则C.严格控制催化剂床层温度D.稳定操作压力，尽量减少不必要停车
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考题 触媒使用中期，操作上要严格控制床层温度低于（）℃。A、245B、235C、225D、215
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考题 23#触媒床层，积碳有何影响？怎样处理？
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考题 甲烷化反应器紧急停车后，床层温度降至150度以下时要进行氮气置换。
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考题 触媒层温度控制原则：（）、（）、（）、（）、（）、（）。
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考题 调节触媒层温度的手段（）（）（）。
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考题 停车后为什么还要作触媒温度记录？
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考题 停车后为什么还记触媒温度？
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考题 硫化主期分两个阶段：触媒床层升到350℃—400℃，触媒床层各点温度为400℃—450℃。
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考题 通过以下（）操作，能提高甲醇触媒床层温度A、减少汽包排污量B、增加汽包排污量C、提高汽包压力D、降低汽包压力
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考题 转化炉温度过高会烧坏触媒及衬里，过低会影响CH4的转化率，所以必须控制好转化触媒的床层温度。
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考题 通过以下（）操作，能降低甲醇触媒床层温度A、减少汽包排污量B、减少汽包上水量C、增加合成气导入量D、增加床层循环气量
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考题 甲醇合成触媒烧结后，工艺显示现象有（）。A、床层压差上升B、床层压差上升C、触媒活性大幅下降D、床层温度下降
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考题 因停车后，触媒处于保温保压还原状态，触媒温度能反映触媒槽内的变化情况，设备和管道泄漏及气体冷却系统会出现负压，这样空气将进入设备，时间久了若不注意，很可能造成触媒氧化燃烧，烧毁触媒烧坏设备，所以停车以后仍然要做触媒温度的记录，以便随时了解炉内温度的变化。
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考题 合成气导气具备的条件是（）。A、触媒床层温度180℃B、触媒床层温度190℃C、合成气总流合格D、合成气的H/C为1
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考题 在操作中如何延长触媒寿命？（）A、触媒装填时，严格按方案进行，严防架桥现象B、不必执行三低、三稳、三不、三控制原则C、严格控制催化剂床层温度D、稳定操作压力，尽量减少不必要停车
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考题 "当床层温度降至300℃时改氮气降温，200-250℃后，配入空气进一步氧化，逐步加大配入空气量，控制温升小于50℃/h，2Ni+O2=2NiO，钝化结束将床层温度降至常温时可以卸出触媒。"
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考题 合成塔压差过高的原因主要有哪些？（）A、温度压力波动过大造成触媒粉碎B、工艺管线中的铁锈等沉积在触媒床层顶部造成堵塞C、空速过小D、触媒粉尘过多，与装填质量有关
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考题 从保护设备、稳定生产方面考虑，转化炉出口温度一般不低于880℃、转化炉触媒床层最高温度点不得超1050℃
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考题 甲烷化反应器停车后，若床层温度下降快时，要立即通氮气置换。
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考题 低变触媒钝化，必须使氮气循环在床层温度（）下，慢慢配入（），注意控制床层温升（），床层最高温度不得超过正常生产的操作温度。
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考题 23#触媒床层温度低，对CO有何影响？
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考题 问答题23#触媒床层温度低，对CO有何影响？
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考题 单选题23#触媒为何要再生（）A 提高床层温度B 提高触媒活性C 降低床层温度
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