考题
场效应管的工作原理是()
A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压
考题
场效应晶体管是用()控制漏极电流的。A、栅源电流B、栅源电压C、漏源电流D、漏源电压
考题
三极管3DG6是()三极管。
A、PNP型锗B、NPN型锗C、PNP型硅D、NPN型硅
考题
测得晶体管三个电极对地的电压分别为－2V、－8V、－ 2.2V,则该管为()。
A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.PNP型硅管D.NPN型硅管
考题
A.NPN型锗管
B.PNP型锗管
C.NPN型硅管
D.PNP型硅管
考题
在某放大电路中，测得三极管各电极对地的电压分别为6V/9.8V/10V，由此可判断该三极管为（ ）。
A． NPN硅管
B． NPN锗管
C． PNP硅管
D． PNP锗管
考题
在某放大电路中,测得三极管各电极对‘地’的电压分别为6V/9.8V/10V,由此可判断该三极管为（）
（A）NPN硅管（B）NPN锗管（C）PNP硅管（D）PNP锗管
考题
测得一放大电路中三极管各级电压如图所示，则该三极管为（ ）。
A． NPN型锗管
B． NPN型硅管
C． PNP型锗管
D． PNP型硅管
考题
描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。A、漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量B、漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量C、基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量D、漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量
考题
在某放大电路中，测得三极管静态电位VBE=0.2V、VCE=4V，则这只三极管为（）。A、NPN硅管B、NPN锗管C、PNP硅管D、PNP锗管
考题
在OTL功率放大器中，两晶体三极管特性和参数相同并且一定是（）。A、NPN管与NPN管B、PNP管与PNP管C、NPN管与PNP管D、NPN管或PNP管
考题
关于9013，下面（）是正确的。A、NPN硅管B、PNP硅管C、NPN锗管D、PNP锗管
考题
三极管3DG130C是（）。A、高频小功率PNP型锗管B、高频大功率NPN型锗管C、低频小功率PNP型硅管D、高频小功率NPN型硅管
考题
三极管的型号为3DG6，它是（）三极管。A、PNP型锗B、NPN型锗C、PNP型硅D、NPN型硅
考题
3DG4C表示（）A、NPN型硅材料高频小功率三极管；B、PNP型硅材料高频小功率三极管；C、NPN型锗材料高频大功率三极管；D、PNP型锗材料低频小功率三极管
考题
3DA101表示（）A、NPN型硅材料高频小功率三极管；B、PNP型锗材料低频小功率三极管；C、NPN型硅材料高频大功率三极管；D、PNP型锗材料低频大功率三极管；
考题
场效应管是通过（）改变漏极电流的。A、栅极电流B、栅源电压C、漏源电压
考题
测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V，则该管不是（）A、NPN型锗管B、PNP型锗管C、PNP型硅管D、NPN型硅管
考题
三极管3AC30C其中AC含义正确的是（）。A、NPN型硅材料，低频大功率管B、NPN型锗材料，高频大功率管C、PNP型硅材料，高频大功率管D、PNP型锗材料，高频大功率管
考题
关于晶体管反向漏电流，以下说法正确是（）。A、相同功率的锗管反向漏电流大于硅管B、NPN管反向漏电流小于PNP管C、电压越高越大D、NPN管反向漏电流大于PNP管
考题
对放大电路中的三极管测量，各级对地电压为UB=2.7V，UE=2V，UC=6V则该管是（）A、硅NPN管B、锗NPN管C、硅PNP管D、锗PNP管
考题
关于晶体三极管的漏电流。相同功率的着管漏电流大于硅管。
考题
关于晶体管的反向漏电流，相同功率的锗管反向漏电流大于（）反向漏电流。
考题
单选题场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。（）A
栅极电流B
栅源电压C
漏源电压D
栅漏电压
考题
单选题某国产晶体三极管型号为3DG6，则该管是（）A
高频小功率NPN型硅三极管B
高频大功率NPN型硅三极管C
高频小功率PNP型锗三极管D
高频大功率PNP型锗三极管
