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简述吸留共沉淀与表面吸附共沉淀的主要区别。


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考题 共沉淀和后沉淀的区别在哪里?

考题 利用无机共沉淀剂进行共沉淀主要有表面吸附共沉淀和生成混品共沉淀两种方法。() 此题为判断题(对,错)。

考题 共沉淀是指待分离的组分在可溶条件下,由于表明吸附、吸留、共结晶或形成晶核等作用,为共沉淀剂带下来的一种沉淀分离技术,请指出哪一种不是常用的无机共沉淀剂?()。A、氢氧化钙B、氢氧化铁C、铵盐D、硫化物E、铜试剂

考题 关于明矾除杂质的原理错误的解释是()A、钾离子的吸附作用B、铝离子的共沉淀作用C、硫酸根离子的吸附作用D、钾离子的共沉淀作用E、硫酸根离子的共沉淀作用

考题 陈化过程可以除去由吸咐和吸留引入的杂质离子,但不能除去由混晶共沉淀带入的杂质离子。()

考题 共沉淀现象可能是由()等原因产生的。A、表面吸附B、生成混晶C、放置时间长D、吸留E、包藏

考题 由于表面吸附引起的共沉淀,吸附层主要吸附的离子是(),扩散层中主要吸附的离子是()。

考题 利用共沉淀法分离,对于微量组分的测定有何意义?与无机共沉淀剂相比较,有机共沉淀剂有何优点?

考题 简述免疫共沉淀的原理和免疫共沉淀耦联质谱技术的特点。

考题 共沉淀是指待分离的组分在可溶条件下,由于表明吸附、吸留、共结晶或形成晶核等作用,为共沉淀剂带下来的一种沉淀分离技术。常用的无机共沉锭剂是()A、8-羟基喹啉B、铜试剂C、双硫腙D、甲基紫E、氢氧化钠

考题 形成共沉淀现象的原因有()。A、表面吸咐B、生成混晶C、吸留D、陈化E、包藏

考题 用洗涤的方法能有效地提高沉淀纯度的是()。A、混晶共沉淀B、吸附共沉淀C、包藏共沉淀D、后沉淀

考题 共沉淀现象是由于沉淀的()作用,混晶或固溶体的形成,吸留和包藏等原因引起的。

考题 利用表面吸附进行共沉淀常用的共沉淀剂为Fe(OH)3、AI(OH)3三等,它们是比表面大、吸附()的肢体沉淀,有利于痕量组分的共沉淀。这种共沉淀方法选择性不高。

考题 Ra2+与Ba2+的离子结构相似,因此可以利用BaSO4沉淀从溶液中富集微量Ra2+,这种富集方式是利用了()A、混晶共沉淀B、包夹共沉淀C、表面吸附共沉淀D、固体萃取共沉淀

考题 如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近,电荷相同,则易形成()A、表面吸附B、混晶C、机械吸留D、后沉淀

考题 共沉淀分离根据共沉淀剂性质可分为混晶共沉淀分离和胶体凝聚共沉淀分离。

考题 减少或消除吸附共沉淀的有效方法是洗涤沉淀。

考题 单选题共沉淀是指待分离的组分在可溶条件下,由于表明吸附、吸留、共结晶或形成晶核等作用,为共沉淀剂带下来的一种沉淀分离技术。常用的无机共沉锭剂是()A 8-羟基喹啉B 铜试剂C 双硫腙D 甲基紫E 氢氧化钠

考题 名词解释题吸附共沉淀

考题 填空题由于表面吸附引起的共沉淀,吸附层主要吸附的离子是(),扩散层中主要吸附的离子是()。

考题 单选题共沉淀是指待分离的组分在可溶条件下,由于表明吸附、吸留、共结晶或形成晶核等作用,为共沉淀剂带下来的一种沉淀分离技术。不是常用的有机共沉淀剂是()。A 8-羟基喹啉B 铜试剂C 二硫腙D 甲基紫E 氢氧化钠

考题 单选题共沉淀是指待分离的组分在可溶条件下,由于表明吸附、吸留、共结晶或形成晶核等作用,为共沉淀剂带下来的一种沉淀分离技术。常用的有机共沉淀剂是()A 8-羟基喹啉B 铜试剂C 双硫腙D 甲基紫E 氢氧化钠

考题 问答题简述免疫共沉淀的原理和免疫共沉淀耦联质谱技术的特点。

考题 单选题共沉淀是指待分离的组分在可溶条件下,由于表明吸附、吸留、共结晶或形成晶核等作用,为共沉淀剂带下来的一种沉淀分离技术,请指出哪一种不是常用的无机共沉淀剂?()。A 氢氧化钙B 氢氧化铁C 铵盐D 硫化物E 铜试剂

考题 多选题关于明矾除杂质的原理错误的解释是()A钾离子的吸附作用B铝离子的共沉淀作用C硫酸根离子的吸附作用D钾离子的共沉淀作用E硫酸根离子的共沉淀作用

考题 单选题如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近,电荷相同,则易形成()A 表面吸附B 混晶C 机械吸留D 后沉淀