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单结晶体管由负阻转化为饱的转折点时的发射极电压成为()电压。

  • A、谷底
  • B、谷点
  • C、峰点
  • D、峰顶

参考答案

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考题 对于单结晶体管,当发射极电压()谷点电压时,单结晶体管恢复截止。 A、小于B、等于C、大于D、远大于

考题 加在发射极上的电压高于峰点电压后,单结晶体管就导通。() 此题为判断题(对,错)。

考题 当单结晶体管的发射极电压高于()电压时,就导通。 A.额定B.峰点C.谷点D.安全

考题 当输入电压为正弦信号时,若NPN管共发射极放大电路发生饱和失真,则输出电压的波形将()。 A.正半周削波B.负半周削波C.不削波

考题 10)单结晶体管当发射极与基极b1之间的电压超过峰点电压Up时,单结晶体管导通( )

考题 下面是单结晶体管的特点说法正确的是()。A、当发射极电压等于峰点电压UP时,单结晶体管导通,导通之后,当发射极电压减小到UEV时,管子由导通变为截止B、单结晶体管的发射极与第一基极的电阻RB1随发射极电流增大而变小,RB2则与发射极电流无关C、不同的单结晶体管有不同的UP和UVD、一般单结晶体管的谷点电压在5~10VE、单结晶体管体积小重量轻

考题 单结晶体管达到导通时的发射极电压叫()电压,从负阻区到饱和区的最小发射极电压叫作()电压。

考题 单结晶体管电路,如发射极电压等于峰点电压UP时,单结晶体管导通,导通后,当发射极电压减小到小于UV时,管子由导通变为截至。()

考题 单结晶体管的发射极电压高于谷点电压时,晶体管就导通。

考题 绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由()来控制.A、栅极电流B、发射极电流C、栅极电压D、发射极电压

考题 当单结晶体管的发射极电压高于()电压时,就导通。A、额定B、峰点C、谷点D、安全

考题 单结晶体管导通条件表述不正确的是()。A、发射极电压大于峰点电压B、发射极电压小于峰点电压C、发射极电压小于谷点电压D、发射极电压大于谷点电压

考题 单结晶体管的发射极电压高于()电压时就导通。A、额定B、峰点C、谷点D、安全

考题 单结晶体管触发电路输出触发脉冲中的幅值取决于()。A、发射极电压UeB、电容CC、电阻rbD、分压比η

考题 半导体三极管起放大作用时,必须()A、发射极与集电极都加正向电压;B、发射极与集电极都加反向电压;C、发射极加正向电压,集电极加反向电压;D、发射极加反向电压,集电极加正向电压;

考题 单结晶体管的发射极电压升到()电压时,单结晶体管就导通。A、谷点B、峰点C、阴极D、阳极

考题 单结晶体管的发射极电压高于()时就会导通,低于()时就截止。

考题 当单结晶体管的发射极电压高于()电压时就导通;低于()电压时就截止。

考题 单结晶体管导通条件是()。A、发射极电压大于峰点电压;B、发射极电压小于峰点电压;C、发射极电压小于谷点电压;D、发射极电压大于谷点电压。

考题 改变单结晶体管触发电路的振荡频率一般应采用改变什么的方法()。A、发射极电阻B、电源电压C、振荡电容D、单结晶体管的电流

考题 绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由()来控制的。A、栅极电流B、发射极电流C、栅极电压D、发射极电压

考题 当单结晶体管的发射极电压UE升高到()时,就会导通。A、峰点电压UPB、谷点电压UVC、两基极间电压UBB

考题 填空题当单结晶体管的发射极电压高于()电压时就导通;低于()电压时就截止。

考题 单选题单结晶体管的发射极电压升到()电压时,单结晶体管就导通。A 谷点B 峰点C 阴极D 阳极

考题 填空题单结晶体管达到导通时的发射极电压叫()电压,从负阻区到饱和区的最小发射极电压叫作()电压。

考题 填空题单结晶体管的发射极电压高于()时就会导通,低于()时就截止。

考题 单选题单结晶体管由负阻转化为饱的转折点时的发射极电压成为()电压。A 谷底B 谷点C 峰点D 峰顶