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配位化合物是中心离子和配位体以配位键结合成的复杂离子或分子。络合物的稳定性是以络合物的络合常数来表示的,不同的络合物有其一定的络合常数()


参考答案

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考题 下列关于配合物的说法中,错误的是() A、中心离(原)子与配体以配位键结合B、配位体是具有孤对电子的负离子或分子C、配位数是中心离(原)子结合的配位体个数之和D、配离子可以存在于溶液中,也可以存在于晶体中

考题 与中心离子相结合的中性分子或阴离子称为()。 A.络离子B.络合物C.中心离子D.配位体

考题 有关络合物描述正确的是()A.配位离子与带有相同电荷的离子形成的化合物B.配位离子与带有相反电荷的离子形成的电中性化合物C.配位离子与带有相同电荷的离子形成双电层化合物D.配位离子与带有相反电荷的离子形成双电层化合物E.配位离子与中性分子形成电中性化合物

考题 在络离子中,金属原子是络合物的形成体,称为()。A、络离子B、络合物C、中心离子D、配位体

考题 与中心离子相结合的配位体的总数称为()。A、中心离子的配位数B、络合物的总数C、中心离子的总数D、配位体的总数

考题 在一定条件下,络合反应和离解反应的速率达到一致时,这种平衡称为()。A、络离子B、络合平衡C、中心离子D、配位体

考题 与中心离子相结合的中性分子或阴离子称为()。A、络离子B、络合物C、中心离子D、配位体

考题 ()是指金属原子通过配位健与负离子或中性分子结合而形成的复杂离子。A、络离子B、络合物C、中心离子D、配位体

考题 形成配位键的必要条件是中心离子必须有(),配位原子必须有()。

考题 已知金属离子M与配位体L形成逐级络合物。则络合反应的平均配位数与()。A、金属离子的浓度有关B、与配位体的浓度有关C、与金属离子和配位体的浓度有关D、与金属离子和配位体的浓度都无关,仅与稳定常数有关

考题 配位化合物中一定存在()A、共价键B、离子键C、配位键D、氢键

考题 配位数是指中心原子与配位体形成的配位键数,数值上等于配位体个数。

考题 配位分子中,中心离子和配位体以()结合。A、共价键B、离子键C、配位键D、化合键

考题 配位数最少等于中心离子的配位体的数目。

考题 配合物[Cr(NH3)5Br]SO4,中心离子是(),配位体是()配位原子是(),配位数(),配离子的电荷数是(),中心离子的氧化数是(),内界是(),外界是()。

考题 在配离子中,中心离子的配位数等于每个中心离子所拥有的配位体的数目。

考题 关于配位化合物的特点,不正确的是()A、配位化合物不符合经典的化合价理论B、配合物中的配位键都是由金属离子接受配位体的电子对形成的C、大多数配合物有颜色D、多数配离子既可以存在于晶体中,也能存在于水溶液中

考题 配离子或配分子是由中心离子和配位体以配位键结合起来的,在水溶液中一般仅部分发生解离。

考题 关于中心原子的配位数,下列说法中不正确的是()A、在所有配合物中,配体的总数就是中心原子的配位数B、配体若都是单齿体,则内界中配体的总数为中心原子的配位数C、与中心离子或原子直接以配位键结合的配位原子的总数叫做该中心离子或原子的配位数D、最常见的配位数为6和4

考题 配合物[NiCl2(en)2]系统命名为其中中心离子的氧化数为(),配位体为(),中心离子配位数为(),配位原子是()。

考题 什么是中心离子?配位体?配位数?外配位层?

考题 配位化合物[CoCl(NH3)5]Cl2的系统命名为(),中心原子 是(),配位体有(),配位原子有(),配位数是(),中心原子的杂化轨道是(),配离子是()构型,内界是(),外界是()。

考题 填空题形成配位键的必要条件是中心离子必须有(),配位原子必须有()。

考题 问答题配位体的概念、络合物的概念、离子对的概念。离子对和络合物的区别。

考题 单选题已知金属离子M与配位体L形成逐级络合物。则络合反应的平均配位数与()。A 金属离子的浓度有关B 与配位体的浓度有关C 与金属离子和配位体的浓度有关D 与金属离子和配位体的浓度都无关,仅与稳定常数有关

考题 填空题K3[Fe(CN)6]的名称是(),中心离子为(),其杂化轨道类型为(),配位体为(),配位原子为(),配位体数目为(),该配位化合物为()轨型配合物。

考题 判断题配位化合物是中心离子和配位体以配位键结合成的复杂离子或分子。络合物的稳定性是以络合物的络合常数来表示的,不同的络合物有其一定的络合常数()A 对B 错