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影响去游离过程的因素与触头间隙的介质种类有关:分子量大、化学性能稳定的介质易复合;分子量小、化学性能不稳定的介质不易复合。


参考答案

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考题 多油断路器中油的用途是() A、灭弧介质和冷却介质B、灭弧介质及触头间隙绝缘介质C、灭弧介质以及触头间隙、带电部分与地之间的绝缘介质D、以上都不对

考题 产生电弧的原因有哪些?() A.触头之间存在足够大的外加电压B.触头本身及触头周围介质中含有大量可以被游离的电子C.触头表面分子中外层不能吸收热能D.触头表面分子中外层不能吸收热能

考题 影响去游离的因素有()A、介质特性B、热电子发射C、冷却电弧D、气体介质的压力E、触头材料F、阴极电压

考题 产生电弧的内因是触头本身及触头周围介质含有大量可被游离的电子。

考题 影响触头接触电阻的因素有()、触头材料、接触形式、触头表面情况及化学腐蚀等。

考题 少油断路器中的油可作为()用。A、灭弧介质和冷却介质;B、灭弧介质及触头间隙绝缘介质;C、灭弧介质以及触头间隙、带电部分与地之间的绝缘介质。

考题 影响去游离过程的因素与触头材料有关:触头材料的热容量大,导热系数大,不易产生热电子发射,使游离过程减弱,易复合。

考题 影响去游离过程的因素与弧柱内外的温度差、离子浓度差有关:温差大,浓度差大,易扩散。

考题 两触头间介质在外界力量影响下,其分子及原子分裂成自由电子和正离子的过程称为()。

考题 影响去游离过程的因素与气体介质的压力有关:压力大至十几个大气压以上或接近真空有利于复合。

考题 影响触头接触电阻的因素有()、接触形式、接触表面状况及触头材料的电阻率与机械性能。

考题 触头间介质击穿电压的大小与触头间的()等因素有关。A、温度B、离子浓度C、电弧电流大小D、电弧长度

考题 影响去游离过程的因素与触头间电场的强弱有关,电场弱,复合过程强;电场强,复合过程弱。

考题 真空断路器触头开断过程中,主要依靠()形成电弧。A、触头产生的金属蒸汽B、触头间隙介质的碰撞游离C、触头间隙介质的热游离D、触头间隙介质的碰撞游离和触头间隙介质的热游离

考题 ()的大小与电源电压、负载性质、电弧电流变化速率等因素有关。A、触头间恢复电压B、触头间介质击穿电压C、电源电压D、触头电阻

考题 电弧中的去游离过程大于游离过程,使电弧中的中性质点增加,带电质点减少,达到一定程度时,触头间隙由良好的导电状态变为绝缘状态则电弧()。

考题 产生电弧的原因有()。A、触头之间存在足够大的外压电压B、触头本身及触头周围介质中含有大量可以被游离的电子C、触头表面分子中外层不能吸收热能D、触头分断之初介质中的离子数较少

考题 判断题影响去游离过程的因素与气体介质的压力有关:压力大至十几个大气压以上或接近真空有利于复合。A 对B 错

考题 单选题真空断路器触头开断过程中,主要依靠()形成电弧。A 触头产生的金属蒸汽B 触头间隙介质的碰撞游离C 触头间隙介质的热游离D 触头间隙介质的碰撞游离和触头间隙介质的热游离

考题 填空题影响触头接触电阻的因素有()、接触形式、接触表面状况及触头材料的电阻率与机械性能。

考题 判断题影响去游离过程的因素与触头间隙的介质种类有关:分子量大、化学性能稳定的介质不易复合;分子量小、化学性能不稳定的介质容易复合。A 对B 错

考题 判断题影响去游离过程的因素与触头间电场的强弱有关,电场强,复合过程强;电场弱,复合过程弱。A 对B 错

考题 判断题影响去游离过程的因素与触头材料有关:触头材料的热容量大,导热系数大,不易产生热电子发射,使游离过程减弱,易复合。A 对B 错

考题 填空题两触头间介质在外界力量影响下,其分子及原子分裂成自由电子和正离子的过程,称为()。

考题 填空题电弧中的去游离过程大于游离过程,使电弧中的中性质点增加,带电质点减少,达到一定程度时,触头间隙由良好的导电状态变为绝缘状态则电弧()。

考题 判断题影响去游离过程的因素与气体介质的压力有关:压力太大或压力太小,都不利于复合。A 对B 错

考题 多选题影响去游离的因素有()A介质特性B热电子发射C冷却电弧D气体介质的压力E触头材料F阴极电压