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对于10G的OUT来说,FEC模式的信噪比不能低于20DB,AFEC模式的信噪比不能低于18DB


参考答案

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考题 由于速率太高,10G系统须要解决色散和光功率波动对信噪比的影响。10G系统采用下面那些技术以提高信号的信噪比:(). A.提高发光功率B.提高光板的接收灵敏度C.采用色散管理D.采用带外FEC(前向纠错)技术

考题 32×10G系统中的3×33dB组网中,MPI-R点每通路信噪比指标要求大于20dB。此题为判断题(对,错)。

考题 10G系统测试中要求-20dB谱宽要低于() A.0.1nmB.0.2nmC.0.3nmD.0.5nm

考题 10G速率OTN系统FEC模式各波道性噪比要求() A.17dBB.20dBC.22dBD.15dB

考题 32×10G系统中的3×33dB组网中,MPI-R点每通路信噪比指标要求大于20dB。

考题 由于速率太高,10G系统须要解决色散和光功率波动对信噪比的影响。10G系统采用下面那些技术以提高信号的信噪比:().A、提高发光功率B、提高光板的接收灵敏度C、采用色散管理D、采用带外FEC(前向纠错)技术

考题 FEC技术可以等效提高信噪比,FEC可以提高()dB,EFEC可以提高()dB,AFEC可以提高()dB

考题 OTN波分网络中,单波出现BEFFEC_EXC,不可能的原因有? A、OTU单板输入光功率过高或者过低B、本端与对端OUT的FEC模式不一致C、系统性能劣化,例如OSNR(光信噪比)过低、色散、非线性D、单波板故障

考题 每月应使用光谱分析仪或多波长计在OA的TxMON口上监测各波长的信噪比及每个通道的()。各波长信噪比最低不得低于20dB。如果某波长的信噪比下降比较大,必须查找故障原因。如果每个通道光功率变化超过2dBm,必须查找故障原因。

考题 波分系统测试,OA收盘接口的信噪比应大于(),如果采用带FEC的系统信噪比也不应低于18dB。而OA发盘的信噪比应大于30dB。

考题 测试信噪比时,按规范要求R点的信噪比应大于(),如果采用带FEC的系统信噪比也不应低于18dB。而S点的信噪比应大于30dB。

考题 M900系统中10G的OUT支持带外FEC功能,但会等效增加OSNR()dB。A、1-2B、3-5C、5-6D、7-8

考题 FEC技术可以降低系统对信噪比的要求。

考题 FEC(前向纠错误码)用于提高传输线路信噪比,中兴设备对接其他厂家设备可使用的模式有()A、FECB、AFEC(不能与其他厂商互通)C、SFECD、以上全部都是

考题 10G波分系统中支持的FEC模式有几种()A、无FECB、FECC、ERZ+EFCD、AFECE、ERZ+AFEC

考题 M900系统中10G的OUT支持带外FEC功能,当设置为AFEC解编码模式时,能够满足业务正常运行的最低信噪比为()。A、16dBB、18dBC、20dBD、22dB

考题 OTUF(带FEC的OTU)单板,使用AFEC技术信噪比指标比普通FEC技术信噪比指标要好XdB,如果AFEC OTU采用RZ编码方式,还可以再改善信噪比YdB,X和Y的值是:()A、2和1B、3和3C、6和4D、8和6

考题 FEC全称前向误码纠错,使用它可以提高系统的信噪比。

考题 OTUF(带FEC的OTU)单板,使用AFEC技术信噪比指标比普通FEC技术信噪比指标要好XdB,如果AFECOTU采用RZ编码方式,还可以再改善信噪比YdB,X和Y的值是()A、2和1B、3和3C、6和4D、8和6

考题 对于OTUFR,其FEC模式应该配置为()A、解码B、编码C、解编码

考题 带外FEC技术可以等效提高信噪比:()。

考题 带FEC的OTU10G板可以等效提高信噪比()

考题 10G速率OTN系统FEC模式各波道性噪比要求()A、≥17dBB、≥20dBC、≥22dBD、≥15dB

考题 OTUF(带FEC的OTU)单板,使用AFEC技术信噪比指标比普通FEC技术信噪比指标要好(),如果AFECOTU采用RZ编码方式,还可以再等效改善信噪比()。

考题 对于ZXWM-M900设备目前提供的2.5G双向中继板OTUFG,对其端口说明错误的是()。A、IN1/OUT1口对应一个方向,IN2/OUT2口对应一个方向;B、IN1/OUT1口接收和发送为带FEC信号,而IN2/OUT2口接收和发送为不带FEC信号;C、IN1口接收到的为不带FEC的信号,经过OUT1编码后输出带FEC的信号;D、IN2口接收到的是带FEC的型号,而经过OUT2口解码后输出为不带FEC的信号。

考题 单选题10G速率OTN系统FEC模式各波道性噪比要求()A ≥17dBB ≥20dBC ≥22dBD ≥15dB

考题 单选题10G系统测试中要求-20dB谱宽要低于()A 0.1nmB 0.2nmC 0.3nmD 0.5nm