考题
重联位时中立电空阀不得电的原因有()。
A.264V二极管断路B.263V二极管断路C.260V二极管断路D.260V二极管击穿
考题
要使二极管正向导通，外加正向电压必须大于二极管的死区电压。A对B错
考题
二极管导通状态描述错误的是（）A、锗二极管的导通电压为0.3V左右B、硅二极管的导通电压为0.6V左右C、二极管导通后，其导通电流不变D、二极管导通后，其导通电压不变
考题
重联位时中立电空阀不得电的原因有（）。A、264Ⅴ二极管断路B、263V二极管断路C、260V二极管断路D、260V二极管击穿
考题
要使二极管正向导通，外加正向电压必须大于二极管的死区电压。
考题
紧急驱动模式功能检查中检查二极管28-A07通过19、20测量R09二级管反向阻断性能。将二级管阳极接正极，电压为0.6V~0.8V。
考题
ZYJ7型电液转辙机表示二极管交流电压50-70V，直流电压16-28V。
考题
半导体二极管具有显著的单向导电性，外加正向电压时，锗二极管的死区电压一般为（）。A、0.1～0.3VB、0.3～0.5VC、0.5～0.7VD、0.7～0.8V
考题
锗二极管的正向压降通常为（）。A、0.3v左右B、0.5v左右C、0.6v左右D、0.7v左右
考题
二极管的直流电阻R与外加直流电压U、流过二极管电流I的关系是（）。之比。A、U/IB、I/UC、无法确定。
考题
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
二极管阳极与阴极间的电压和流过二极管的电流之间的关系称为（）性。A、单向B、电压C、伏安D、电流
考题
硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
二极管外加（）向电压导通，外加（）向电压截止。
考题
硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为（）A、0.6V；0.6VB、0.6V；0.1VC、0.1V；0.6VD、0.1V；0.1V
考题
二极管电压从0.65V增大10%，流过的电流增大（）。A、10%B、大于10%C、小于10%
考题
所谓晶体二极管的伏安特性是指加到二极管两端的电压与流过二极管电流的特性曲线。
考题
硅二极管上外加正向电压很低时，正向电流几乎为零。只有在外加电压达到约（）时，正向电流才明显增加，这个电压称为硅二极管的门坎电压。A、0.3VB、0.2VC、0.5VD、0.7V
考题
使用整流二极管时，流过二极管的平均电流应不超过最大整流电流，加在二极管上的反向电压应不超过最大反向电压。
考题
锗二极管的正向导通电压为（）。A、0.3V左右B、0.6V左右C、0.8V左右D、0.7V左右
考题
反映二极管两端所加电压与流过电流之间的关系曲线称为二极管的（）。
考题
二极管的直流电阻R与外加直流电压U、流过二极管电流I的关系是（）。A、；U/IB、；I/uC、；无法确定
考题
二极管的直流电阻R与外加直流电压U、流过二极管电流I的关系是（）之比。A、U/IB、I/UC、△U/△ID、无法确定
考题
单选题重联位时中立电空阀不得电的原因有（）。A
264Ⅴ二极管断路B
263V二极管断路C
260V二极管断路D
260V二极管击穿
考题
单选题重联位时中立电空阀不得电的原因为（）A
264V二极管断路B
263V二极管断路C
260V二极管断路D
260V二极管击穿
考题
判断题要使二极管正向导通，外加正向电压必须大于二极管的死区电压。A
对B
错
考题
单选题硅晶体二极管与锗晶体二极管的导通压降分别为（）A
0.7V；0.3VB
0.2V；0.3VC
0.3V；0.7VD
0.7V；0.6V
