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50~100p;micro;m的氧化铝主要用于()。

  • A、贵金属基底冠的粗化
  • B、半贵金属基底冠的粗化
  • C、非贵金属基底冠的粗化
  • D、去除铸件表面的包埋料
  • E、去除铸件表面在铸造过程中形成的氧化膜

参考答案

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考题 病人张某,女性,天然牙列为四环素牙,要求4321|1234做烤瓷美容修复。理想的氧化膜的厚度是A、0.2~2μmB、3~4μmC、5~6μmD、7~8μmE、9~10μm4321|1234从修复效果考虑,烤瓷合金选用哪种最佳A、贵金属B、半贵金属C、非贵金属D、钯银合金E、银合金粗化此种金属基底冠的表面的氧化铝粒度为A、20~30μmB、35~50μmC、55~70μmD、75~90μmE、95~110μm打磨此种基底冠时,应采用哪种磨头A、氧化铝车针B、氧化硅车针C、碳化硅车针D、金刚砂车针E、钨钢车针

考题 50~100μm的氧化铝主要用于A、贵金属基底冠的粗化B、半贵金属基底冠的粗化C、非贵金属基底冠的粗化D、去除铸件表面的包埋料E、去除铸件表面在铸造过程中形成的氧化膜

考题 打磨后贵金属基底冠的表面喷砂粗化应选用的氧化铝直径是A.80~100μmB.35~50μmC.0.2~2μmD.50~100μmE.0.5~3μm

考题 金瓷结合界面处理恰当与否关系到金瓷结合强度,因此严格进行正确的处理才能保证PFM冠的质量PFM基底冠的打磨处理中错误的是A、用钨钢针磨除贵金属表面的氧化物B、用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物C、打磨时用细砂针多方均匀地打磨出金瓷结合.部要求的外形D、禁止使用橡皮轮磨光E、用50~100μm的氧化铝喷砂PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是A、非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜B、贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜C、非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜D、非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同E、理想的氧化膜厚度为0.2~2μm

考题 金属基底冠铸造后的处理步骤正确的有A.去除铸件表面的包埋料B.表面机械处理、抛光C.清洁处理D.表面酸蚀处理E.除气、预氧化

考题 某技术员在进行金瓷修复体基底冠表面处理时,用铝砂喷砂去除金-瓷结合面的包埋料后,以下操作步骤错误的是A、用碳化硅磨除非贵金属基底金-瓷结合面的氧化物B、用钨钢钻磨除贵金属表面的氧化物C、一个方向均匀打磨金属表面不合要求的外形D、使用橡皮轮磨光金属表面E、防止在除气及预氧化后用手接触金属表面

考题 50~100p;micro;m的氧化铝主要用于( )。A、贵金属基底冠的粗化B、半贵金属基底冠的粗化C、非贵金属基底冠的粗化D、去除铸件表面的包埋料E、去除铸件表面在铸造过程中形成的氧化膜

考题 技师制作贵金属烤瓷全冠,其金属基底冠打磨完成喷砂粗化时应选用A.50~100μm氧化铝砂B.35~50μm氧化铝砂C.50~100μm石英砂D.35~50μm石英砂E.150~200μm氧化铝砂

考题 金属基底冠除气目的,下列说法正确的是()A、去除铸造过程中形成的氧化膜B、去除金属基底金属-烤瓷结合面的氧化物C、排除合金中残留的气体D、避免瓷熔附时出现气泡E、在基底表面形成氧化膜

考题 单选题粗化此种金属基底冠的表面的氧化铝粒度为(  )。A 20~30μmB 35~50μmC 55~70μmD 75~90μmE 95~110μm

考题 单选题50~100μ;m的氧化铝主要用于()A 贵金属基底冠的粗化B 半贵金属基底冠的粗化C 非贵金属基底冠的粗化D 去除铸件表面的包埋料E 去除铸件表面在铸造过程中形成的氧化膜

考题 单选题50~100p;micro;m的氧化铝主要用于()。A 贵金属基底冠的粗化B 半贵金属基底冠的粗化C 非贵金属基底冠的粗化D 去除铸件表面的包埋料E 去除铸件表面在铸造过程中形成的氧化膜