考题
某放大电路中,测得三极管三个极静态电位分别为7V,2.7V,2V,则这只三极管是()
A、NPN型的硅管B、NPN型的锗管C、PNP型的硅管D、PNP型的锗管
考题
在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是()。A、NPN 型硅管B、NPN 型锗管C、PNP 型硅管D、PNP 型锗管
考题
测得某放大电路半导体三极管三个管脚对地电压为U1=3V,U2=8V,U3=3.7V,则该三极管为()。
A.NPN型Si管B.NPN型Ge管C.PNP型Si管D.PNP型Ge管
考题
测得一放大电路中三极管各级电压如图所示，则该三极管为（ ）。
A． NPN型锗管
B． NPN型硅管
C． PNP型锗管
D． PNP型硅管
考题
某放大电路中，测得三极管三个电极的静态点位分别为0V、10V、9.3V，则这只三极管是（ ）。
A．NPN型锗管
B．NPN型硅管
C．PNP型锗管
D．PNP型硅管
考题
某复合三极管的输入管类型为PNP型，电流放大倍数是β1；输出管类型为NPN型，电流放大倍数是β2；则复合三极管的类型为（）型、电流放大倍数β＝（）。
考题
在某放大电路中，测得三极管静态电位VBE=0.2V、VCE=4V，则这只三极管为（）。A、NPN硅管B、NPN锗管C、PNP硅管D、PNP锗管
考题
在NPN型晶体三极管放大电路中，如将其基极与发射极短路，三极管所处的状态是（）。A、截止B、饱和C、放大D、无法判定
考题
在放大电路中测得一只三极管三个电极的电位分别为2.8V、3.5V、6V，则这只三极管属于（）A、硅PNP型B、硅NPN型C、锗PNP型D、锗NPN型
考题
在NPN晶体三极管组成的共射极放大电路中，如果测得UCE小于或等于UBE，该三极管处于（）状态。A、截止B、放大C、饱和D、无法确定
考题
测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5、3V和-6V，则该三极管的类型为（）。A、硅PNP型B、硅NPN型C、锗PNP型D、锗NPN型
考题
由NPN型晶体三极管组成的共发射极放大电路，现若放大电路静态工作点选的过高，信号容易出现（）失真。A、截止B、饱和C、放大D、交越
考题
在NPN型三极管组成的共射基本放大电路中，若出现饱和失真，应采取（）。A、增大RBB、减小RBC、增大RCD、减小RC
考题
某放大电路正常工作时，测得UB=1.5V，UE=2V，则所用半导体三极管的类型及材料为（）A、NPN硅B、NPN锗C、PNP硅
考题
在晶体三极管放大电路中，晶体三极管最高电位的一端应该是（）。A、PNP型的基极B、NPN的基极C、PNP型的发射极D、NPN的发射极
考题
已知某三极管的三个电极对地电位为6V，2.7V，2V，则可判断该三极管的类型及工作状态为（）。A、NPN型，放大状态B、PNP型，截止状态C、NPN型，饱和状态D、PNP型，放大状态
考题
在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的β增加，则IBQ（），ICQ（），UCEQ（）。
考题
由NPN管组成的共射放大电路，若测得VCEQ=VCC，VCC为电源电压，则可判断该三极管处于（）A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、击穿状态
考题
由NPN型三极管构成的基本共射放大电路，其输出波形出现了底部失真说明（）A、静态工作点太高，应减小RbB、静态工作点太低，应增大RbC、静态工作点太高，应增大RbD、静态工作点太低，应减小Rb
考题
NPN型三极管组成的放大电路在工作时，已知VE=2.1V，VB=2.8V，VC=4.4V，则三极管处于（）。A、放大区B、饱和区C、截止区D、击穿区
考题
NPN型三极管基本放大电路在线性放大区工作时，应当发射结正向偏置，集电结反向偏置。
考题
在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（）A、NPN型硅管B、NPN型锗管C、PNP型硅管D、PNP型锗管
考题
在三极管放大电路中，三极管各管脚电位最高的是（）。A、PNP管的集电极B、NPN管的集电极C、PNP管的基极D、NPN管的基极
考题
单选题在放大电路中测得一只三极管三个电极的电位分别为2.8V、3.5V、6V，则这只三极管属于（）A
硅PNP型B
硅NPN型C
锗PNP型D
锗NPN型
考题
填空题某复合三极管的输入管类型为PNP型，电流放大倍数是β1；输出管类型为NPN型，电流放大倍数是β2；则复合三极管的类型为（）型、电流放大倍数β＝（）。
考题
单选题测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5.3V和-6V，则该三极管的类型为（）。A
硅PNP型B
硅NPN型C
锗PNP型D
锗NPN型
