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填空题
反映半导体中载流子导电能力的一个重要参数是（）。

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考题 场效应管仅靠半导体中的多数载流子导电。()
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考题 本征半导体参与导电通常有()种载流子。
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考题 P类半导体中,参加导电的多数载流子是()。 A.电子B.质子C.空穴
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考题 有关半导体下列说法正确的是()。A.半导体就是一半导电，一半不导电B.是导电能力介于导体和绝缘体之间的物体C.半导体中有两种载流子，既有自由电子载流子又有空穴载流子D.半导体是制造电子元件的重要的最基本的材料
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考题 本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。A、自由电子，空穴；扩散，飘移B、空穴，自由电子；漂移，扩散C、空穴，自由电子；扩散，漂移D、自由电子，空穴；漂移，扩散E、自由电子，空穴；扩散，扩散
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考题 迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）
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考题 半导体中参与导电载流子是（）A、阳离子B、阴离子C、电子D、空穴
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考题 N型半导体自由电子数远多于空穴数，这些自由电子是多数载流子。而空穴是少数载流子，导电能力主要靠自由电子，称为电子型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体
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考题 P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体
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考题 P类半导体中，参加导电的多数载流子是（）。A、电子B、质子C、空穴
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考题 若在四价元素半导体中掺入五价元素原子，则可构成（）型半导体，参与导电的多数载流子是（）。
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考题 半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。
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考题 在本征半导体中，因为有自由电子和空穴两种载流子，所以其导电能力很强。
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考题 N型半导体也称为（）半导体，其多数载流子是（），主要靠（）导电；P型半导体也称为（）半导体，其多数载流子是（），主要靠（）导电。
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考题 单极型器件是仅依靠单一的多数载流子导电的半导体器件。
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考题 半导体材料导电能力的大小，由半导体内载流子的数目决定。
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考题 P型半导体材料导电的载流子是空穴。
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考题 半导体中有（）和（）两种载流子。本征半导体的导电能力取决于（），杂质半导体的导电能力主要取决于（）
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考题 若在四价元素半导体中掺入三价 元素原子，则可构成（）型半导体，参与导电的多数载流子是（）。
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考题 部类半导体中，参加导电的多数载流子是（）。A、电子B、质子C、空穴
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考题 半导体的空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体
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考题 P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体
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考题 半导体的自由电子数远多于空穴数，这些自由电子是多数载流子，而空穴是少数载流子，导电能力主要靠自由电子，称为电子型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体
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考题 P型半导体导电的载流子为（）。
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考题 判断题半导体中存在两种载流子，只有自由电子参与导电，而空穴不参与导电。A 对B 错
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考题 填空题（）是半导体单晶重要电学参数之一，它反映了补偿后的杂质浓度，与半导体中的载流子浓度有直接关系。
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考题 单选题下列描述中不属于本征半导体的基本特征是（）。A 温度提高导电能力提高B 有两种载流子C 电阻率很小，接近金属导体D 参杂质后导电能力提高
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