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晶间腐蚀是由晶界的杂质,或晶界区某一合金元素增多或减少而引起的。()
此题为判断题(对,错)。
参考答案
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考题
1、细化晶粒尺寸可以改善材料低温脆性,提高材料的韧性,下列原因中正确的是()? (A)晶界是裂纹扩展的阻力。 (B)晶粒减小则晶界前塞积的位错数减少,有利于降低应力集中。 (C)晶界总面积增加,使晶界上杂质浓度减少,避免产生沿晶脆性断裂。 (D)晶界的强度总是高于晶内的强度。
考题
细化晶粒尺寸可以改善材料低温脆性,提高材料的韧性,下列原因中正确的是()? (A)晶界是裂纹扩展的阻力。 (B)晶粒减小则晶界前塞积的位错数减少,有利于降低应力集中。 (C)晶界总面积增加,使晶界上杂质浓度减少,避免产生沿晶脆性断裂。 (D)晶界的强度总是高于晶内的强度。
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