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动态存储器的容量为64MB，访问周期是60ns，要求在2ms内必须刷新一遍。计算在存储器不间断工作情况下，刷新所占的时间比是(2)。
A．400%.
B．25%.
C．30%.
D．60%.
参考答案
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考题
有一个16K×16位的存储器,由1K×4位的DRAM芯片构成(芯片是64×64结构)。问:(1)共需要多少RAM芯片?(2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少(3)如采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少读／写周期?死时间率是多少?
考题
动态存储器芯片的正常访问周期为60us，其中，输入行地址和列地址分别需要20ns。如果行地址不变，只改变列地址，则可以节省输入行地址的时间。对于一个容量为64MB的芯片，全部存储单元都访问一遍至少需要(3)s。A．1.34B．2.68C．5.36D．3.16
考题
某动态存储器存储单体的容量是64K*8位,采用双译码结构且地址线平均送到两个译码器，刷新周期是2ms 。下列关于动态存储器的描述中正确的是（）（多选）A．动态存储器的刷新按行进行B．该动态存储器的刷新地址计数器的模为2^8C．该动态存储单体的数据线和地址线之和为16D．该刷新地址计数器在2ms内必须进行一轮计数循环
考题
有一64K × 16位的存储器，用4K × 1位的DRAM芯片构成（内部结构64× 64）。读写周期为0.5us。问： （1）总共需要多少DRAM芯片？ （2）如采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ （3）如采用集中刷新方式，对全部存储单元刷新一遍，最少需要多少读/写周期？死区率是多少？
考题
有一16K × 16位的存储器，用4K × 1位的DRAM芯片构成（内部结构64× 64）。读写周期为0.5ms。问： （1）总共需要多少DRAM芯片？ （2）如采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？（3）如采用集中刷新方式，对全部存储单元刷新一遍，最少需要多少读/写周期？死区率是多少？
考题
48、有一个16K×16位的存储器，由1K×4位的动态RAM芯片构成（芯片内是64×64结构），问：采用异步方式，如单元刷新间隔不超过2 ms，则刷新信号周期是多少ms？（填数字，小数点后取3位）
考题
某动态存储器存储单体的容量是64K*1位,采用双译码结构且地址线平均送到两个译码器，刷新周期是2ms 。下列关于动态存储器的描述中错误的是（）。A．动态存储器的刷新按行进行B．该动态存储器单体的地址线为16C．该动态存储单体的地址线为8D．该刷新地址计数器在2ms内必须进行一轮计数循环
考题
1、某动态存储器存储单体的容量是64K*8位,采用双译码结构且地址线平均送到两个译码器，刷新周期是2ms 。下列关于动态存储器的描述中正确的是（）（多选）A．动态存储器的刷新按行进行B．该动态存储器的刷新地址计数器的模为2^8C．该动态存储单体的数据线和地址线之和为16D．该刷新地址计数器在2ms内必须进行一轮计数循环
考题
动态存储器单元电路与静态存储器单元电路在组成及存储信息原理上不同，且需要周期性刷新。
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