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当电源内阻为R0时,负载R1获得最大输出功率的条件是()。

  • A、R1>R0
  • B、R1<R0
  • C、R1=2R0
  • D、R1=R0

参考答案

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考题 当电源内阻为R0时,负载R1获得最大输出功率的条件是( )。A.R1>R0B.R1C.R1=2R0D.R1=R0

考题 下列哪条指令把寄存器R1、R2的值相加后存到R0中:() A ANDR0,R1,R2B SUBR0,R1,R2CADDR0,R1,R2D ANDR1,R2,R0

考题 将ARM处理器R0中的一个字节的数据,存入由R1+4指示的内存区域,且地址自动更新,则使用的ARM指令是()。A.STR R0,[R1,4]B.STRH R0,[R1,4]!C.STRH R0,[R1,4]D.STRB R0,[R1,4]!

考题 已知ARM处理器R1=0x12345678, R2=0xFF008899,则执行指令AND R0,R1,R2后,寄存器R0=(13)__________________,R1=(14)___________________。

考题 ARM处理器将R0中一个字的数据,存入由R1指示的内存区域,则使用的指令是()。A.STR R0,[R1]B.LDR R0,[R1]C.STRH R0,[R1]D.STRB R0,[R1]

考题 已知ARM处理器进位标志C=1, R1=1000, R2=99, 执行指令ADDC R0,R1,R2之后,R0=___【13】____, R1=___【14】____。

考题 已知ARM处理器的R1=0x12345678, R2=0xFF00FF00,则执行指令ORR R0,R1,R2后,寄存器R0=___【11】____,R1=___【12】____。

考题 以下ARM指令中属于寄存器间接寻址的指令是()。A.TST R1,0xFEB.LDRB R1,[R2]C.MOV R1,R0,LSL3D.BIC R0,R0,0x0B

考题 已经R0=8000,R1=8800,执行指令MOV R0,R1, LSR2后,R0=___【13】____,R1=___【14】____。

考题 已知R0=0,R1=10000,R2=20000,指令ADD R0,R1,R2执行后,R0=___【13】____,R1=___【14】____。

考题 如果条件为负数,将R1指向的内存单元中8位数据加载到R0寄存器中,正确的ARM指令为:()。A.LDRPL R0,[R1]B.LDRMI R0,[R0]C.LDRHMI R1,[R0]D.LDRBMI R0,[R1]

考题 已知R0=0x10,R1=0x20,R2=0x08,R3=0xFFFFFFF3,则指令LSL R0,R0,R2执行后,R0=___【13】___,指令MVN R1,R3执行后R1=___【14】___。

考题 当电源内阻为 R0 时,负载 R1 获得最大输出功率的条件是()。A.R1 >R0B.R1 <R0C.R1=2R0D.R1 =R0

考题 初始值R1=23H,R2=0FH执行指令BIC  R0, R1,R2,LSL #1后,寄存器R0,R1的值分别是多少?

考题 执行ARM指令STR R0,[R1,#4]!之后,以下说法正确的是()。A、R0的值加4B、R1的值加4C、内存中的数据保持不变D、R1的值保持不变

考题 下列哪条指令把寄存器R1、R2的值相加后存到R0中.()A、AND R0, R1, R2B、SUB R0, R1, R2C、ADD R0, R1, R2D、AND R1, R2, R0

考题 ARM指令LDR R0,[R1,#4]!执行后,以下说法正确的是()。A、R0中的值不变B、R1中的值不变C、内存中的值不变D、R0和R1中的值均不改变

考题 执行ARM指令MOV R0,R1,LSL#3后,R0的值为()。A、R1的3倍B、R1+3C、R1的8倍D、R1的8分之1

考题 ARM处理器将R0中一个字的数据,存入由R1指示的内存区域,则使用的指令是()。A、STR R0,[R1]B、LDR R0,[R1]C、STRH R0,[R1]D、STRB R0,[R1]

考题 在指令LDR R0,[R1,#4]!执行后,R1中的值为()。A、R1不变B、R1=R1+1C、R1=R1+4D、R1=4

考题 已知R1=8,R0=9,执行指令MOV R0,R1,LSR#3后,R0的值为()。A、1B、8C、0x10D、0x80

考题 阅读下列程序,回答问题: LDR R0, 0x22 LDR R1, 0x11 SUB R0, R0, R1 CMP R0, R1 执行上述程序后,CPSR的下列哪个标志位将发生变化()A、 CB、 VC、 ZD、 以上都不对

考题 当电源内阻为R0时,负载R1获得最大输出功率的条件是()。A、R1>R0;B、R1<R0;C、R1=2R0;D、R1=R0。

考题 金属导电环式结冰信号器的受感器中装有热敏电阻R0和加温电阻R1,当受感器感受的温度在0°以下时,在()A、飞机未结冰时,R1通电而R0阻值减小B、飞机未结冰时,R1不通电而R0阻值增大C、飞机结冰时,R1通电而R0阻值保持不变D、飞机结冰时,R1不通电而R0阻值保持不变

考题 当电源内阻为R0时,负载R1获得最大输出功率的条件是()A、R1>R0B、R1<R0C、R1=2R0D、R1=R0

考题 单选题阅读下列程序,回答问题: LDR R0, 0x22 LDR R1, 0x11 SUB R0, R0, R1 CMP R0, R1 执行这段程序后,R0的值为()A  0x22B  0x33C  0x11D  0

考题 单选题下列哪条指令把寄存器R1、R2的值相加后存到R0中.()A AND R0, R1, R2B SUB R0, R1, R2C ADD R0, R1, R2D AND R1, R2, R0

考题 单选题如果条件为负数,将R1指向的内存单元中8位数据加载到R0寄存器中,正确的ARM指令为()。A LDRPL R0,[R1]B LDRMI R0,[R0]C LDRHMI R1,[R0]D LDRBMI R0,[R1]