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小电流硅二级管的死区电压为0.5V。正向压降为0.7V。

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考题 三极管加正向偏置时存在一个死区电压,锗管死区电压为()V,硅管为()V。
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考题 在判别锗、硅二极管时,当测出正向压降为()时,将认为此二极管为锗二极管;当测出正向压降为()时,将认为此二极管为硅二极管。
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考题 硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。
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考题 小电流硅二极管的死区电压约为（），正向压约为0.7V。A、0.4VB、0.5VC、0.6VD、0.7V
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考题 二极管处于导通状态时，二极管的压降（）。A、为零B、硅管0.7V，锗管0.3VC、等于电路电压D、电压不变
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考题 已知一只二极管的正向压降为0.7V，通过它的电流为50mA，此情况下，二极管的正向电阻为（）Ω
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考题 二极管导通时，正向压降为0.7V。
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考题 硅稳压管的稳定电压是指（）。A、稳压管的反向截止电压B、稳压管的反向击穿电压C、稳压管的正向死区电压D、稳压管的正向导通电压
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考题 硅管的正向压降为（）V。
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考题 二极管的正向特性明显分为两个区域，分别是（）和（）区；对硅管而言，这两个区的电压大致为（）和0.7V。
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考题 锗二极管的正向压降通常为（）。A、0.3v左右B、0.5v左右C、0.6v左右D、0.7v左右
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考题 硅管的死区电压为0.5V，锗管的死区电压为（）。A、0.5VB、0.7VC、0.4VD、0.2V
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考题 硅管的正向压降为0.7V。（）
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考题 晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
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考题 理想二级管正向导通时，其压降为（）V；反向截止时，其中电流为（）A。这两种状态相当于一个（）。
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考题 在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
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考题 晶体管的PN结的正向压降为（）。A、锗管为0.3V左右B、锗管为0.7V左右C、硅管为0.3V左右D、硅管为0.7V左右
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考题 常温下，硅二极管的正向导通压降为（）。A、0.3V；B、0.7V；C、1V
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考题 硅二极管上外加正向电压很低时，正向电流几乎为零。只有在外加电压达到约（）时，正向电流才明显增加，这个电压称为硅二极管的门坎电压。A、0.3VB、0.2VC、0.5VD、0.7V
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考题 肖特基二级管正向压降小，开启电压（），正向导通损耗小。
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考题 单选题二极管能保持正向电流几乎为零的最大正向电压称为（）。A 死区电压B 击穿电压C 截止电压D 峰值电压
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考题 填空题二极管的正向特性明显分为两个区域，分别是（）和（）区；对硅管而言，这两个区的电压大致为（）和0.7V。
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考题 单选题在下列关于锗二极管“死区电压／在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是（）。A 0.1～0.2V／0.3VB 0.2～0.3V／0.7VC 0.3～0.5V／0.7VD 0.5V／0.7V
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考题 多选题晶体管的PN结的正向压降为（）。A锗管为0.3V左右B锗管为0.7V左右C硅管为0.3V左右D硅管为0.7V左右
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考题 单选题半波整流电路中，如果运算放大器开环增益为1×106，二极管正向压降为0.5V，则最小检波电压为（）。A 0.5μVB 0.5mVC 0.5VD 0.5kV
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