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关于RAS#Precharge描述正确的是()

  • A、列地址至行地址的延迟时间,简称RCD
  • B、行地址控制器延迟时间
  • C、列动态时间,也称tRAS,表示一个内存芯片上两个不同的列逐一寻址时所造成的延迟
  • D、列地址控制器预充电时间,简称tRP

参考答案

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考题 DRAM中的存储单元是以矩阵形式组织的,通过行地址和列地址经译码后访问矩阵中的某个存储单元。一个有9根地址线、行地址与列地址复用的DRAM芯片,能访问的存储单元数目是A.29个B.(29+29)个C.(29×29)个D.(9×9)个

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考题 以下说法正确的是()。A.在公式中输入"=$A5+$A6"表示对A5和A6的列地址绝对引用B.在公式中输入"=$A5+$A6"表示对A5和A6的行、列地址相对引用C.在公式中输入"=$A5+$A6"表示对A5和A6的行、列地址绝对引用D.在公式中输入"=$A5+$A6"表示对A5和A6的行地址绝对引用

考题 以下有关EXCEL单元格地址的描述中,正确的是()。 A.其相对地址的表示是“列号+行号”B.其绝对地址的表示是“$+列号+$+行号”C.如果不引用,某单元格用相对地址表示与绝对地址表示的效果是相同的D.引用时,混合地址表示的会发生改变E.在使用函数时不能绝对地址

考题 在Excel 2010中,单元格地址包括所在位置的()。A行地址B列地址C列和行的地址D区域地址

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考题 关于TRas#描述正确的是()A、行地址控制器延迟时间,简称CLB、列动态时间,也称tRASC、列地址控制器预充电时间,简称tRP

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考题 关于TRas#描述不正确的是()A、行地址控制器延迟时间,简称CLB、列动态时间,也称tRASC、列地址控制器预充电时间,简称tRP

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考题 DRAM芯片怎么有行地址又有列地址?

考题 内存的时序参数TRas#表示().A、行地址控制器延迟时间B、列地址至行地址的延迟时间C、列地址控制器预先充电时间D、列动态时间

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考题 地址一般分为行、列地址的是()。A、EEPROMB、FlashC、静态RAMD、动态RAM

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考题 单选题在Excel 2010中,单元格地址包括所在位置的()。A 行地址B 列地址C 列和行的地址D 区域地址