考题
利用高速旋转的转子，将药液刮布成均匀薄膜而进行蒸发，适用于易结垢料液A.升膜式蒸发器B.降膜式蒸发器C.刮板式薄膜蒸发器D.离心式薄膜蒸发器E.管式蒸发器
考题
利用重力、离心力使药液形成薄膜或使药液剧烈沸腾产生大量泡沫而进行蒸发的浓缩方法为A.减压蒸发B.加压蒸发C.薄膜蒸发D.常压蒸发E.多效蒸发
考题
铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。A、等离子体刻蚀B、反应离子刻蚀C、湿法刻蚀D、溅射刻蚀
考题
薄膜蒸发常用方法是（）A、升膜式蒸发B、降膜式蒸发C、刮板式薄膜蒸发D、离心式薄膜蒸发E、流化法
考题
（）是使料液在蒸发时形成薄膜，增加液化表面进行蒸发的方法。
考题
（）是以物理的方法来进行薄膜沉积的一种技术。A、LPCVDB、PECVDC、CVDD、PVD
考题
（）是与气体辉光放电现象密切想关的一种薄膜淀积技术。A、蒸镀B、离子注入C、溅射D、沉积
考题
（）是通过把被蒸物体加热，利用被蒸物在高温时的饱和蒸汽压来进行薄膜沉积的。A、蒸镀B、溅射C、离子注入D、CVD
考题
下面哪一种薄膜工艺中底材会被消耗（）。A、薄膜沉积B、薄膜成长C、蒸发D、溅射
考题
简述溅射成膜的原理，并举例说明哪种薄膜采用溅射方法成膜。
考题
深海沉积物是以它所含物质种类为基础来进行分类的。
考题
（）专指薄膜形成的过程中，并不消耗晶片或底材的材质。A、薄膜成长B、蒸发C、薄膜沉积D、溅射E、以上都正确
考题
利用高速旋转的转子，将药液刮布成均匀的薄膜而进行蒸发，适用于易结垢料液（）A、升膜式蒸发器B、降膜式蒸发器C、刮板式薄膜蒸发器D、离心式薄膜蒸发器E、管式蒸发器
考题
薄膜光伏电池制备工艺中，等离子增强化学气相沉淀法的英文缩写是（）A、PVDB、LPVCDC、PEVCDD、LVCD
考题
利用重力、离心力使药液形成薄膜或使药液剧烈沸腾产生大量泡沫而进行蒸发的浓缩方法为（）A、减压蒸发B、加压蒸发C、薄膜蒸发D、常压蒸发E、多效蒸发
考题
问答题构成沉积岩的物质，在搬运和沉积过程中是以哪些方式进行搬运和沉积的？
考题
填空题根据引起气体放电的机理不同，可形成不同的溅射镀膜方法，主要有（）溅射、（）溅射、反应溅射、磁控溅射等方法。
考题
单选题利用重力、离心力使药液形成薄膜或使药液剧烈沸腾产生大量泡沫而进行蒸发的浓缩方法为（ ）。A
减压蒸发B
加压蒸发C
薄膜蒸发D
常压蒸发E
多效蒸发
考题
单选题集成电路生产中，金属薄膜的沉积通常采用（）A
溅射物理气相沉积B
蒸发物理气相沉积C
等离子增强化学气相沉积D
低压化学气相沉积
考题
判断题CVD是利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜。A
对B
错
考题
单选题电子刻蚀加工主要是通过热效应对工件进行加工，而离子刻蚀加工主要是通过（）效应对工件进行加工。A
撞击B
溅射C
注入D
撞击、溅射
考题
多选题薄膜蒸发常用方法是（）A升膜式蒸发B降膜式蒸发C刮板式薄膜蒸发D离心式薄膜蒸发E流化法
考题
单选题利用高速旋转的转子，将药液刮布成均匀的薄膜而进行蒸发，适用于易结垢料液（）A
升膜式蒸发器B
降膜式蒸发器C
刮板式薄膜蒸发器D
离心式薄膜蒸发器E
管式蒸发器
考题
问答题物理气相沉积（PVD）按沉积薄膜气相物质的生成方式和特征主要可以分为哪几种？
