考题
上釉的烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确
考题
PFM冠上釉时的炉温是A、与体瓷的烧结温度相同B、低于体瓷烧结温度6～8℃C、低于体瓷烧结温度10～20℃D、高于体瓷烧结温度6～8℃E、高于体瓷烧结温度10～20℃
考题
低温烧结是指温度1000℃的烧结。()
此题为判断题(对，错)。
考题
目前，一般认为烧结温度高于1300度是高温烧结矿，低于1300度为低温烧结矿。此题为判断题(对，错)。
考题
烧结温度是指烧结料层中某一点的平均温度。此题为判断题(对，错)。
考题
烧结温度是指烧结料层中某一点达到的( )。A.点火温度B.最高温度C.平均温度
考题
低温烧结过程中，铁酸钙的生成条件是合适的温度和__________气氛。
考题
烧结温度是指烧结料层中某一点达到的（）。A、点火温度B、最高温度C、平均温度
考题
目前，一般认为烧结温度高于1300度是高温烧结矿，低于1300度为低温烧结矿。
考题
低温烧结就是指控制烧结温度在（）的范围内，适当增宽高温带，确保生存足够的粘结相的一种烧结新工艺。
考题
若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（）。A、低于体瓷烧结温度5℃B、低于体瓷烧结温度10℃C、高于体瓷烧结温度5℃D、高于体瓷烧结温度10℃E、以上均不正确
考题
上釉的烧结温度是（）。A、低于体瓷烧结温度5℃B、低于体瓷烧结温度10℃C、高于体瓷烧结温度5℃D、高于体瓷烧结温度10℃E、以上均不正确
考题
改善烧结矿质量的有效措施有（）、优化配料、偏析布料、（）、低温烧结、热风烧结等。
考题
低温烧结是指烧结温度控制在（）℃范围内A、1150-1250B、1200-1280C、1250-1300D、1300-1350
考题
低温烧结是指控制烧结温度在（）范围。A、1150-1200℃B、1200-1280℃C、1280-1320℃D、1320-1380℃
考题
低温烧结就是指控制烧结结温度在（）的范围内。A、1000℃～1100℃B、1100℃～1180℃C、1200℃～1280℃D、1300℃～1380℃
考题
低温烧结适宜的点火温度一般控制在（）。A、900-1000℃B、1000-1100℃C、1100-1200℃
考题
低水低炭厚料层烧结，烧结温度曲线由熔融转变为低温型，烧结最温度控制在1250-1280℃，并保持1100℃以上温度的时间在（）以上。A、5minB、10minC、15min
考题
烧结终点温度是指烧结过程中某一点达到的（）。
考题
简述烧结、烧成、烧成温度、烧成温度、液相烧结和固相烧结的定义。
考题
单选题若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（）。A
低于体瓷烧结温度5℃B
低于体瓷烧结温度10℃C
高于体瓷烧结温度5℃D
高于体瓷烧结温度10℃E
以上均不正确
考题
单选题PFM冠上釉时的炉温是（ ）。A
与体瓷的烧结温度相同B
低于体瓷烧结温度6～8℃C
低于体瓷烧结温度10～20°CD
高于体瓷烧结温度6～8℃E
高于体瓷烧结温度10～20℃
