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在氧化精炼过程中杂质反应是放热反应，随着温度的升高，铜中残留杂质的浓度增大。

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考题 在ITO玻璃清洗的过程中，DI水浸泡的目的是去除：（）A、残留的杂质B、有机物C、颗粒杂质
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考题 杂铜氧化精炼过程中，熔炼温度高，易造良性渣，渣含铜低。
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考题 氧化精炼过程中，金属杂质锡的走向为：渣中约为（），在气相中约为50%。
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考题 氧化精炼过程中，金属杂质锌的走向为：渣中约占（），烟气中约占50%。
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考题 氧化精炼过程中，金属杂质铅的走向为：渣中约占（），气相中约为20%。
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考题 氧化精炼时，当铜水与鼓入空气中的氧接触时，（）便首先氧化成 （） ，随即溶于铜水中，并被气体搅动向四周扩散，使其他杂质金属氧化，实际上（）起到了传递氧的作用。
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考题 杂质及其氧化物在铜液中的溶解度愈大，则该杂质愈难除去。
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考题 氧化精炼时，杂质及其氧化物在铜液中的（）愈大，则该杂质愈难除去；杂质对氧的（）愈小，则该杂质愈难氧化，因而愈难脱除。
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考题 试述杂质铅在氧化精炼中的行为。
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考题 氧化精炼的基本原理在于铜水中存在的大多数杂质对氧的亲和力都 （）铜对氧的亲和力，且多数杂质的氧化物在铜中的（）很小，当空气中的氧鼓入铜水中便优先将杂质氧化除去。
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考题 在氧化精炼过程中温度过高，熔体中饱和氧化亚铜亦多，造成渣含铜高，还原时间延长。
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考题 在氧化精炼条件下，杂质元素及氧都是作为（）处于主金属的熔体（溶液）中。
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考题 铜火法精炼中，下列中难除去的杂质为（）A、Fe、Zn、PbB、Ag、Au、BiC、Ni、As、Sb
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考题 氧化精炼过程中，杂质除去的难易程度与很多因素有关，主要因素有（）。A、杂质在铜中的浓度和杂质元素对氧的亲和力B、杂质氧化后所产生的氧化物在铜中的溶解度C、杂质及其氧化物的挥发性，杂质氧化物的造渣性D、杂质及其氧化物与铜液的比重差
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考题 氧化精炼过程中，金属杂质镍的走向为（）。
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考题 杂铜冶炼中，杂质的去除只与氧化的深浅有关系，只要深氧化，便能脱除各种杂质，精炼出合格的阳极铜。
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考题 氧化精炼过程中，铜中残留杂质的浓度与铜液中氧化亚铜的活度成正比。
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考题 铜中残留杂质的浓度与铜液中氧化亚铜的活度成反比，故在氧化精炼过程中应使铜中的氧化亚铜始终保持饱和状态。
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考题 铜中残留杂质的浓度与该杂质金属的活度系数成反比，而与渣相中该杂质金属氧化物的活度成正比，因此为了最大限度地除去铜中的杂质，在氧化精炼过程中需要选择加入适当的熔剂和及时地排渣，以降低渣相中杂质金属氧化物的活度。
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考题 对于放热反应，平衡常数值随着温度的升高而增大。
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考题 铜为什么是银电解精炼过程中危害最大的杂质？
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考题 温度升高，本征载流子浓度（）；杂质半导体中少子浓度（），多子浓度（）
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考题 在杂质半导体中，少子浓度主要取决于（）A、掺入杂质的浓度B、材料C、温度
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考题 杂质在银电解精炼过程中的影响？
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考题 半导体三极管工作过程中（）。A、发射区杂质浓度大于基区杂质浓度；B、发射区杂质浓度小于基区杂质浓度；C、发射区杂质浓度等于基区杂质浓度；D、发射区杂质浓度大于集电区杂质浓度。
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考题 问答题杂质在银电解精炼过程中的影响？
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考题 问答题铜为什么是银电解精炼过程中危害最大的杂质？
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