关于突触前抑制的叙述，正确的是( )。A、突触前膜超极化B、突触后膜超极化C、突触前膜去极化D、突触前膜释放抑制性递质E、潜伏期较短

题目内容（请给出正确答案）

关于突触前抑制的叙述，正确的是( )。

A、突触前膜超极化

B、突触后膜超极化

C、突触前膜去极化

D、突触前膜释放抑制性递质

E、潜伏期较短

参考答案

考题突触前抑制的论述中,正确的是() A、突触前膜超极化B、突触后膜超极化C、突触前膜去极化D、突触前膜释放抑制性递质E、潜伏期较短

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考题关于突触前抑制的论述,正确的是() A、突触前膜超极化B、突触后膜超极化C、突触前膜去极化D、突触前膜释放抑制性递质E、潜伏期较短

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考题对于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是A．突触前轴突末梢超极化B．对Ca2+、K+通透性增大C．突触后膜出现超极化D．突触后膜去极化E．突触前膜去极化

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考题突触前抑制产生的原因是A．突触前膜预先去极化B．突触前膜预先超极化C．突触前膜预先抑制D．突触前膜预先发生兴奋E．突触前膜预先由兴奋变为抑制

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考题关于突触前抑制的叙述，正确的是A．突触前膜超极化B．突触后膜超极化C．突触前膜去极化D．突触后膜去极化E．没有神经递质参与

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考题 EPSP与IPSP的共同特征为 A.突触前膜都去极化 B.突触前膜都超极化 C.突触后膜都去极化 D.突触后膜都超极化

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考题关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是A．突触后膜去极化B．突触后膜出现超极化C．突触后膜对Ca2+通透性增大D．突触前轴突末梢超极化E．由突触前膜递质释放量减少所致

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考题【单选题】突触前抑制的产生是由于A．突触前膜部分超极化B．突触后膜部分超极化C．突触后膜部分去极化D．突触前膜释放抑制性递质E．突触前膜部分去极化

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考题关于突触前抑制的叙述，正确的是（）。A．突触前膜产生去极化B．突触前膜产生超极化C．兴奋性递质释放减少D．抑制性递质释放增加

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