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下列选项是双向晶闸管的标识的是()。

A、FST

B、TRIAC

C、RCT

D、GTO


参考答案

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考题 下列选项是门极可关断晶闸管的标识的是()。 A.FSTB.TRIACC.RCTD.GTO

考题 目前()是电力电子装置的主导器件。 A.IGBTB.SCRC.RCTD.P-MOSFET

考题 下列选项中是合法的标识符的是( )。A.12classB.+voidC.-5D._black

考题 下列( )选项是合法的标识符。A.123B._nameC.classD.1 first

考题 20、同为四层结构的GTO能够用负门极电流关断的原因是()。A.GTO阴极条宽窄B.GTO阴极条宽宽C.GTO工作在深饱和状态D.GTO工作在临界饱和状态

考题 下列选项中,用于标识为静态方法的是()。A.@staticmethodB.@privatemethodC.@instancemethodD.@classmethood

考题 下列选项中,用于标识为静态方法的是()。A.@classmethodB.@instancemethodC.@staticmethodD.@privatemethod

考题 下列器件中,属于电流型驱动的是()A.GTRB.IGBTC.SCRD.GTO

考题 如下所述,门极可关断晶闸管GTO半导体结构是:A.门极可关断晶闸管GTO不是PNPN四层的半导体结构。B.门极可关断晶闸管GTO是PNPN四层半导体结构。C.门极可关断晶闸管GTO与晶闸管SCR的半导体结构不一样。D.门极可关断晶闸管GTO是PPPN或PNNN四层半导体结构。