考题
晶体三极管用于放大时,则()。
A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结反偏，集电结反偏C.发射结反偏，集电结正偏D.发射结正偏，基集反偏
考题
当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为()。
A、前者反偏、后者也反偏B、前者正偏、后者反偏C、前者正偏、后者也正偏D、前者反偏、后者正偏
考题
当晶体管工作在截止区时,发射结电压和集电结电压应为()。A、前者反偏、后者反偏B、前者正偏、后者反偏C、前者正偏、后者正偏D、前者反偏，后者正偏
考题
当晶体管的发射结正偏,集电结反偏时,则晶体管处于()。
A、饱和状态B、放大状态C、截止状态
考题
工作在放大状态的晶体管，各极的电位应使晶体管满足什么？( )A.发射结正偏，集电结反偏
B.发射结反偏，集电结正偏
C.发射结、集电结均反偏
D.发射结、集电结均正偏
考题
如果晶体三极管的（），则该管工作于截止区。A.发射结正偏，集电结反偏
B.发射结正偏，集电结正偏
C.发射结反偏，集电结正偏
D.发射结反偏，集电结反偏
考题
晶体管处于截面状态时，其集电结（）偏，发射结（）偏。A、正；反B、反；正C、正；正D、反；反
考题
晶体管工作在放大区时，各极电压为（）A、集电结正偏，发射结反偏B、集电结反偏，发射集正偏C、集电结，发射结均反偏D、集电结，发射结均正偏
考题
晶体三极管用于放大时则（）A、发射结反偏，基电结反偏。B、发射结正偏，基电结反偏。C、发射结正偏，基电结正偏。D、发射结反偏，基电结正偏。
考题
在NPN型晶体三极管放大电路中，基极与发射极短路，则晶体管（）A、深度饱和B、将截止C、集电极正偏D、发射结反偏
考题
为了使晶体管工作于饱和区，必须保证（）。A、发射结正偏，集电结正偏B、发射强正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结零偏D、发射结反偏，集电结正偏
考题
为了使晶体管工作于饱合区，必须保证（）。A、发射结正偏集电结正偏B、发射结正偏集电结反偏C、发射结正偏集电结零偏
考题
晶体管能够放大的外部条件是（）。A、发射结反偏，集电结正偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结反偏D、发射结正偏，集电结反偏
考题
欲使晶体管工作在放大区，则外电路所加电压必须使晶体管的发射结（）偏，同时使集电结（）偏。
考题
晶体管处于截止状态时，发射结和集电结的偏置情况是（）A、发射结反偏，集电结正偏B、发射结、集电结反偏C、发射结、集电结均上偏D、发射结正、集电结反偏
考题
工作在放大状态的晶体管，各极的电位应满足（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结、集电结均反偏D、发射结、集电结均正偏
考题
如改变三极管基极电压的极性，使发射结由正偏导通变为反偏，则集电极电流（）A、反向B、中断C、增大D、不变
考题
晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为（）A、发射结反偏，集电结正偏B、发射结、集电结均反偏C、发射结、集电结均正偏D、发射结正偏、集电结反偏
考题
晶体三极管工作于饱和状态时，则（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结正偏
考题
三极管有饱和导通与截止状态，只要（）就能达到导通状态。A、发射极电压B、控制基极电流C、截止时集电极反偏D、发射结正偏E、集电结正偏
考题
晶体三极管用于放大时，则（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结正偏，基集反偏
考题
单选题晶体管工作在放大区时，各极电压为（）A
集电结正偏，发射结反偏B
集电结反偏，发射集正偏C
集电结，发射结均反偏D
集电结，发射结均正偏
考题
单选题工作在放大状态的晶体管，各极的电位应满足（）。A
发射结正偏，集电结反偏B
发射结反偏，集电结正偏C
发射结、集电结均反偏D
发射结、集电结均正偏
考题
单选题处于截止状态的晶体管，其工作状态为（）。A
发射结正偏，集电结正偏B
发射结反偏，集电结反偏C
发射结正偏，集电结反偏D
发射结反偏，集电结正偏
考题
单选题为使晶体管可靠地处于截止状态时，它的集电结（）偏，发射结（）偏。A
正／反B
反／正C
正／正D
反／反
考题
单选题晶体管处于截止状态时，集电结和发射结的偏置情况为（）。A
发射结反偏，集电结正偏B
发射结、集电结均反偏C
发射结、集电结均正偏D
发射结正偏，集电结反偏
考题
单选题若使晶体管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）。A
发射结正偏，集电结正偏B
发射结反偏，集电结反偏C
发射结正偏，集电结反偏D
发射结反偏，集电结正偏