考题
晶体三极管的输出特性曲线可分为截止区、()和饱和区三个区域。
考题
要使TTL与非门工作在转折区,可使输入端对地外接电阻RI()。
A.ROFFB.>RONC.>ROFFD.
考题
电压比较器的集成运放工作在电压传输特性的线性区。()
考题
电压比较器中的集成运放是工作在电压传输特性曲线中的线性区。()
考题
要使TTL与非门工作在转折区,可使输入端对地外接电阻RI().
A. >RONB.C. ROFFD. >ROFF
考题
三极管的输出特性曲线分为（ ）等工作区。A.死区
B.开启区
C.放大区
D.截止区
E.饱和区
考题
通常晶体管的输出特性曲线区分为（ ）区。A.非饱和区
B.饱和区
C.截止区
D.放大区
E.线性区
考题
三极管的输出特性曲线可分为三个区（）。A、饱和区B、截止区C、放大区D、工作区
考题
三极管有输入、输出两个特性曲线，而在输出曲线中分为放大区、饱和区和（）。A、工作区B、导通区C、调整区D、截止区
考题
根据半导体三极管不同的工作状态，输出特性曲线分为（）A、输出区B、放大区C、饱和区D、截止区
考题
要用与非门电路实现对小信号的放大作用，该与非门应工作在电压传输特性曲线区域是（）。A、截止区B、线性区C、饱和区D、转折区
考题
ZnO压敏电阻片的全电压—电流特性曲线可划分为哪几个区段：（）。A、小电流区B、中电流区C、截止区D、大电流区
考题
结型场效应管的输出特性曲线可分为（）。A、可变电阻区和饱和区B、可变电阻区和击穿区C、饱和区和击穿区D、可变电阻区、饱和区和击穿区
考题
氧垂曲线可依次划分为清洁区及（）、腐败区、恢复区及清洁区
考题
TTL与非门电压传输特性曲线可分为（）、（）、（）及饱和区四个区域。
考题
TTL与非门电压传输特性曲线可分为（）、（）、（）及（）四个区域。
考题
根据外加电压的不同，场效应管的输出特性曲线族可划分为（）、饱和区、截止区和击穿区。
考题
晶体三极管的输出特性曲线分为四个区，请问哪个区具有基区宽度调制效应（）A、饱和区B、截止区C、放大区D、击穿区
考题
在FET的输出特性曲线中，饱和区相当于BJT输出特性曲线的（）区。而前者 的可变电阻区则对应于后者的（）区。
考题
结型场效应管的输出特性曲线可分为（）几部分。A、放大区B、饱和区C、截止区D、可变电阻区E、击穿区
考题
电压比较器的集成运放一般工作在电压传输特性的线性区。
考题
TTL与非门电压传输特性曲线分为（）A、饱和区B、转折区C、线性区D、截止区
考题
三极管的输出特性曲线分为（）区、（）区和（）区。
考题
二极管的正向特性明显分为两个区域，分别是（）区和（）区；对硅管而言，这两个区的电压大致为（）和（）。
考题
多选题ZnO压敏电阻片的全电压—电流特性曲线可划分为哪几个区段：（）。A小电流区B中电流区C截止区D大电流区
考题
多选题TTL与非门电压传输特性曲线分为（）A饱和区B转折区C线性区D截止区
