考题
三极管有PNP型、NPN型两种，若工作在放大状态时：其条件是______。A.发射结正向偏置，集电结反向偏置B.发射结集电结都反向偏置C.发射结集电结都正向偏置D.视管子类型而定
考题
复合管的类型与组成复合管的()的类型相同。
A、第2只三极管B、第一只三极管C、无法确定
考题
只有当两个晶体管的类型相同(都为NPN管或都为PNP管)时才能组成复合管。()
此题为判断题(对，错)。
考题
3DG6三极管的制作材料、类型是()。
A、锗、PNP型B、硅、PNP型C、硅、NPN型D、锗、NPN型
考题
已知:三极管处于放大状态,三个极的电位分别为V1=6.7V,V2=6V,V3=10V,该管属于()种类型。
A、硅NPN型B、硅PNP型C、锗NPN型D、锗PNP型
考题
3AX81三极管的制作材料、类型分别是（）A、锗、PNP型B、硅、PNP型C、硅、NPN型D、锗、NPN型
考题
某复合三极管的输入管类型为PNP型，电流放大倍数是β1；输出管类型为NPN型，电流放大倍数是β2；则复合三极管的类型为（）型、电流放大倍数β＝（）。
考题
在OTL功率放大器中，两晶体三极管特性和参数相同并且一定是（）。A、NPN管与NPN管B、PNP管与PNP管C、NPN管与PNP管D、NPN管或PNP管
考题
关于9013，下面（）是正确的。A、NPN硅管B、PNP硅管C、NPN锗管D、PNP锗管
考题
TTL电路是晶体管-晶体管逻辑电路，它由NPN或PNP型晶体管组成，CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路，由绝缘栅场效应管组成。
考题
三板管按内部结构分为NPN和PNP两种类型，没有其他类型
考题
测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5、3V和-6V，则该三极管的类型为（）。A、硅PNP型B、硅NPN型C、锗PNP型D、锗NPN型
考题
三极管按导电类型可分（）A、NPN及PNP三极管B、N型三极管C、P型三极管D、PNP三极管
考题
数控机床所用无触点行程开关（接近开关）有常开、常闭、PNP、NPN等类型之分，在更换时切勿搞错。
考题
某放大电路正常工作时，测得UB=1.5V，UE=2V，则所用半导体三极管的类型及材料为（）A、NPN硅B、NPN锗C、PNP硅
考题
PLC输入点类型的有哪些（）A、NPN类型B、PNP类型C、APN类型D、NAN类型
考题
已知某三极管的三个电极对地电位为6V，2.7V，2V，则可判断该三极管的类型及工作状态为（）。A、NPN型，放大状态B、PNP型，截止状态C、NPN型，饱和状态D、PNP型，放大状态
考题
乙类互补对称功放由NPN和PNP两种类型晶体管构成，其主要优点是（）。
考题
NPN型与PNP型传感器的主要区别是：PNP输出端为（）电平，NPN输出端为（）电平。
考题
PNP型或NPN型晶体管，其发射区和集电区均为同类型半导体（N型或P型）。所以在实际使用中发射极与集电极（）。A、可以调换使用B、不可以调换使用C、PNP型可以调换使用，NPN型则不可以调换使用
考题
对于由两个晶体管组成的复合管，以下成立的有（）A、总的放大倍数为两管放大倍数的乘积B、复合管的类型和前面管子的类型相同C、复合管的类型和后面管子的类型相同
考题
已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为（）A、NPN型锗管B、PNP型锗管C、NPN型硅管D、PNP型硅管
考题
不是PLC输入点类型的有哪些（）.A、NPN类型B、PNP类型C、继电器型D、NAN类型
考题
填空题NPN型与PNP型传感器的主要区别是：PNP输出端为（）电平，NPN输出端为（）电平。
考题
单选题测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5.3V和-6V，则该三极管的类型为（）。A
硅PNP型B
硅NPN型C
锗PNP型D
锗NPN型
