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问答题
为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分（不考虑沟道调制效应）？

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考题 CMOS反相器是由一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组成的。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 结型场效应管的类型有()。 A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管
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考题 通常晶体管的输出特性曲线区分为（ ）区。A.非饱和区 B.饱和区 C.截止区 D.放大区 E.线性区
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考题 单极型集成电路不包含（）.A、普通晶体管（NPN管或PNP管）B、P沟道MOS管C、N沟道MOS管D、互补型MOS（即CMOS）
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考题 结型场效应管的类型有（）。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
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考题 场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
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考题 UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（）。A、N沟道结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、P沟道结型管
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考题 场效应管工作在非饱和区时，其ID和VDS之间呈（）关系。
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考题 场效应管用作放大交流小信号时，应工作在（）A、饱和区B、非饱和区C、截止区D、击穿区
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考题 当场效应管的VGSGS（th）时，则该管工作在（）A、饱和区B、非饱和区C、击穿区D、截止区
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考题 功率MOS场效应晶体管具有（）、（）和（）。
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考题 场效应管工作在非饱和区时，其电压电流之间呈现（）关系。A、指数B、平方C、对数D、线性
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考题 场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（）。A、非饱和区B、饱和区C、截止区D、击穿区
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考题 衬底为N型硅片的MOS管就是N沟道MOS场效应管。
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考题 场效应管用作α信号放大时，其静态工作点应设置在输出特性曲线的（）A、非饱和区B、饱和区C、截止区D、击穿区
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考题 某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）A、P沟道耗尽型MOS管B、N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管D、N沟道增强型MOS管
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考题 场效应管的非饱和区又称变阻区，它是沟道未被（）的工作区。
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考题 MOS场效应管按导电沟道划分为N和（）两大类。
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考题 下列哪种情况不是场效应管的正常工作区（）A、饱和区B、非饱和区C、截止区D、击穿区
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考题 更具结构不同，场效应管分为（）A、N沟道和P沟道场效应管B、NPN和PNP型场效应C、MOS管和MNS管D、结构和绝缘栅场效应管
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考题 CMOS反相器基本电路包括（）A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
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考题 单选题绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（）A P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B 增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管C N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管D N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管
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考题 问答题MOS晶体管的短沟道效应是指什么，其对晶体管有什么影响？
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考题 判断题对于处于饱和区的MOS晶体管，漏源电流随其宽长比的增大而增大。A 对B 错
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考题 判断题从电路原理受控源的角度本质上看，工作在饱和区的MOS晶体管本质等效为电压控制电流源。A 对B 错
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考题 单选题结型场效应晶体管根据结构不同分为（）A P沟道结型场效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B P沟道结型场效应晶体管和N沟道增强型场效应晶体管C N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管D N沟道结型场效应晶体管和P沟道型绝缘栅场效应晶体管
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考题 单选题在短沟道MOS器件中，当器件工作在饱和区，源漏电压升高，会使源漏电流（）A 增大B 减小C 不变D 先减小后增大
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