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问答题
说明用硅材料采用CMOS工艺可形成哪些元件、电路形式以及可达到的电路规模?
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考题
TTL电路和CMOS电路接口时,无论是用TTL电路驱动CMOS电路还是用CMOS电路驱动TTL电路,驱动门都必须为负载门提供合乎标准的高、低电平和足够的电流。()
此题为判断题(对,错)。
考题
试说明如下各种门电路中哪些输出端可以直接并联使用?(1)具有推拉输出(图腾柱)的TTL电路。(2)TTL电路OC门。(3)TTL电路三态门。(4)具有互补输出(非门)结构的CMOS电路。(5) CMOS电路OD门。(6) CMOS电路三态门。
考题
把构成门电路的基本元件制作在一小片半导体芯片上,就构成集成电路,根据制造工艺的不同,把数字集成电路分为哪两种。()A、双极性集成电路B、TTL集成电路C、CMOS集成电路D、单极性集成电路
考题
在下列有关集成电路的叙述中,错误的是()。A、集成电路的规模是根据其所包含的电子元件数目进行划分的B、大规模集成电路一般以功能部件和子系统为集成对象C、现代集成电路使用的半导体材料主要是硅D、集成电路技术发展很快,至今已达到线宽0.001um的工艺水平
考题
在下列有关集成电路和叙述中,错误的是()A、集成电路的规模是根据其所包含的电子元件数目进行划分的B、大规模集成电路一般以功能部件和子系统为集成对象C、现代集成电路使用的半导体材料主要是硅(Si)D、集成电路技术发展很快,至2005年初已达到0.001微米的工艺水平
考题
单选题半导体集成电路是微电子技术的核心。下面有关集成电路的叙述中错误的是()。A
集成电路有小规模、中规模、大规模、超大规模和极大规模等多种,嵌入式处理器芯片一般属于大规模集成电路B
集成电路的制造大约需要几百道工序,工艺复杂且技术难度非常高C
集成电路大多在硅衬底上制作而成,硅衬底是单晶硅锭经切割、研磨和抛光而成的圆形薄片D
集成电路中的电路及电子元件,需反复交叉使用氧化,光刻,掺杂和互连等工序才能制成
考题
单选题在下列有关集成电路的叙述中,错误的是()。A
集成电路的规模是根据其所包含的电子元件数目进行划分的B
大规模集成电路一般以功能部件和子系统为集成对象C
现代集成电路使用的半导体材料主要是硅D
集成电路技术发展很快,至今已达到线宽0.001um的工艺水平
考题
判断题双极型集成电路工艺是用来制造CMOS集成电路。A
对B
错
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