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什么是扩散工艺？

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考题 扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺，现在主要被用来制作（）。A、埋层B、外延C、PN结D、扩散电阻E、隔离区
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考题 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在900～1050℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。A、4～6hB、50min～2hC、10～40minD、5～10min
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考题 扩散工艺现在广泛应用于制作（）。A、晶振B、电容C、电感D、PN结
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考题 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，砷和锑的扩散温度为（）。A、1050～1200℃B、900～1050℃C、1100～1250℃D、1200～1350℃
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考题 集成电路是微电子技术的核心，它是以先进的工艺和具体技术为基础的高科技，没有扩散工艺、平面工艺等的技术突破，集成电路是不可能成功的，第一块集成电路诞生于哪一年（）A、1945年B、1956年C、1958年D、1960年
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考题 什么是MLSS？什么是MLVSS？什么是污泥沉降比SV？什么是污泥体积指数SVI？什么是污泥负荷？
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考题 扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们所使用。A、内部的杂质分布B、表面的杂质分布C、整个晶体的杂质分布D、内部的导电类型E、表面的导电类型
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考题 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（）。A、600～750℃B、900～1050℃C、1100～1250℃D、950～1100℃
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