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单选题
在PC/XT机上的DRAM刷新,每()时间完成一行刷新。
A
0.2μs
B
15μs
C
1μs
D
1/18.2μs
参考答案
参考解析
解析:
暂无解析
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考题
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:① SRAM比DRAM存储电路简单② SRAM比DRAM成本高③ SRAM比DRAM速度快④ SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新A.①和②B.②和③C.③和④D.①和④
考题
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述 Ⅰ.DRAM存储单元的结构比SRAM简单 Ⅱ.DRAM比SRAM成本高 Ⅲ.DRAM比SRAM速度快 Ⅳ.DRAM要刷新,SRAM不需刷新 其中正确的是A.Ⅰ和ⅡB.Ⅱ和ⅢC.Ⅲ和ⅣD.Ⅰ和Ⅳ
考题
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:Ⅰ.DRAM存储单元的结构比SRAM简单Ⅱ.DRAM比SRAM成本高Ⅲ.DRAM比SRAM速度快Ⅳ.DRAM要刷新,SRAM不需刷新其中哪两个叙述是错误的?A.Ⅰ和ⅡB.Ⅱ和ⅢC.Ⅲ和ⅣD.Ⅰ和Ⅳ
考题
下面是关于DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:Ⅰ.SRAM比DRAM集成度高Ⅱ.SRAM比DRAM成本高Ⅲ.SRAM比DRAM速度快 Ⅳ.SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新其中正确的叙述是A.Ⅰ和ⅡB.Ⅱ和ⅢC.Ⅲ和ⅣD.Ⅰ和Ⅳ
考题
下面有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述,正确的是( )。Ⅰ DRAM比SRAM集成度高Ⅱ DRAM比SRAM成本高Ⅲ DRAM比SRAM速度快Ⅳ DRAM需要刷新,SRAM不需要刷新A.Ⅰ和ⅡB.Ⅱ和ⅢC.Ⅲ和ⅣD.Ⅰ和Ⅳ
考题
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述,其中哪两个是正确的?( )。Ⅰ DRAM比SRAM集成度高Ⅱ DRAM比SRAM成本高Ⅲ DRAM比SRAM速度快Ⅳ DRAM需要刷新, SRAM不需刷新A.Ⅰ和ⅡB.Ⅱ和ⅢC.Ⅲ和ⅣD.Ⅰ和Ⅳ
考题
根据PC系列微机总线标准的兼容性,( )是正确的。A.PC/XT 机的插卡可在AT总线(ISA总线)的PC机上使用B.PC/AT 机的插卡可在PC/XT 总线的PC机上使用C.PC/XT 机的插卡可在MCA 总线的PC 机上使用D.PC/AT机的插卡可在MCA总线的PC机上使用
考题
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述: ①SRAM比DRAM存储电路复杂 ②SRAM比DRAM成本高 ③SRAM比DRAM速度慢 ④SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新; 其中正确的是()。A、①和②B、②和③C、③和④D、①和④
考题
有一个64K×16位的存储器,由16K×1位的DRAM芯片(芯片内是128×128结构)构成,存储器读/写周期为500ns,试问: 1)需要多少片DRAM芯片? 2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少? 3)如果采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少时间?
考题
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述正确的是().①SRAM比DRAM存储电路简单②SRAM比DRAM成本高③SRAM比DRAM速度快④SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新A、①和②B、②和③C、③和④D、①和④
考题
问答题有一个64K×16位的存储器,由16K×1位的DRAM芯片(芯片内是128×128结构)构成,存储器读/写周期为500ns,试问: 1)需要多少片DRAM芯片? 2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少? 3)如果采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少时间?
考题
问答题DRAM存储器采用何种方式刷新?有哪几种常用的刷新方式?
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