考题
模拟电路中晶体管大多工作于()。
A、开关状态B、放大状态C、击穿状态
考题
用万用表尺×100Q挡测量一只晶体管各极间正、反向电阻,如果都呈现很小的阻值,则这只晶体管()。
A、两个PN结都被烧坏B、发射极被击穿C、集电极被击穿D、两个PN结都被击穿
考题
用万用表R×100挡测量一只晶体管各极间正、反向电阻,如果都呈现很小的阻值,则这只晶体管()。
A、两个PN结都被烧坏B、发射极被击穿C、集电极被击穿D、两个PN结都被击穿
考题
为了消除间歇振荡器在晶体管突然截止时,变压器线圈原方产生的反冲电压击穿晶体管或产生振荡,常采用()。
A、解耦电路B、阻尼电路C、解调电路
考题
（）不是晶体管的工作状态.A、放大状态B、截止状态C、胞和导通状态D、软击穿状态
考题
当晶体管上的反向电压高于某值，反向电流会突然增大，这个电压叫（）。A、死区电压B、反向击穿电压
考题
晶体管特性图示仪可观测半导体管子特性曲线，还可测试管子的（）特性参数。A、极限、击穿B、正向C、反向D、击穿
考题
晶体管特性图示仪零电流开关的作用是测试管子的（）A、击穿电压、导通电流B、击穿电压、穿透电流C、反偏电压、穿透电流D、反偏电流、导通电流
考题
晶体管逆变器在工作中损坏原因，多数是由于晶体管被较高电压击穿的缘故。
考题
荧光灯晶体管逆变器在工作中损坏的原因，多数是由于（）被较高的电压击穿的缘故。A、电容器B、电感线圈C、晶体管D、晶闸管
考题
如果晶体管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM，则该管被击穿。
考题
功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（）。A、一次击穿B、二次击穿C、临界饱和D、反向截止
考题
关于二次击穿，以下说法正确的是（）。A、大功率晶体管GTR不会发生二次击穿B、功率MOSFET不会发生二次击穿C、二次击穿可能使器件永久性损坏D、二次击穿的过程很短暂
考题
共射基本放大电路中，若测得晶体管的VCQ≈VCC，则可以判别晶体管工作在（）A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、击穿状态
考题
电力场效应晶体管（电力MOSFET）（）现象。A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿
考题
电力晶体管在使用时，要防止（）。A、二次击穿B、静电击穿C、时间久而失效D、工作在开关状态
考题
JSBXC-850型时间继电器的吸起延时与单结晶体管（）有关。A、击穿电流B、耐压C、击穿电压D、耐流
考题
用万用表R×100Ω档测量一只晶体管各极之间正、反向电阻，如果都呈现很小的阻值，则这只晶体管（）。A、PN结被击穿B、PN结开路C、只有发射极击穿D、只有集电极击穿
考题
用万用表R³100Ω挡测量一只晶体管各极间正、反向电阻，如果都呈现很小的阻值，则这只晶体管（）。A、两个PN结都被击穿B、两个PN结都被烧坏C、只有发射极被击穿D、只有发射极被烧坏
考题
单选题电力场效应晶体管（电力MOSFET）（）现象。A
有二次击穿B
无二次击穿C
防止二次击穿D
无静电击穿
考题
单选题JSBXC-850型时间继电器的吸起延时与单结晶体管（）有关。A
击穿电流B
耐压C
击穿电压D
耐流
考题
单选题功率晶体管（GTR）从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（）。A
一次击穿B
二次击穿C
临界饱和D
反向截至
考题
问答题如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应？
考题
判断题使用大功率晶体管时，必须要注意“二次击穿”问题。A
对B
错
考题
问答题简述晶体管逆变器的电路中采取奶协措施来防止晶体管被击穿的故障？
