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单选题
硅片抛光在原理上不可分为（）
A

机械抛光法

B

化学抛光法

C

手工抛光法

D

机械--化学抛光法

参考答案

参考解析
解析： 暂无解析
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考题 二审法院在审理上诉案件过程中,发现依法不应由法院受理的,不可以直接裁定撤销原裁判,驳回起诉。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 抛煤机的结构按照抛煤的动力来源大致可分为三种，不包括( )。A.风力抛煤机B.机械抛煤机C.风力-机械抛煤机D.液压-机械抛煤机
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考题 根据防范外汇风险的程度，套利活动可分为（）。A、抛补套利B、非抛补套利C、直接套利D、间接套利
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考题 光在光纤中传输时，存在不同的模式。（）模式在光纤中不可能存在。A、TEB、TMC、TEMD、HE
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考题 按光在光纤中的传输模式可分为:（）和（）
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考题 太阳能电池分为晶硅片（）池和薄膜太阳能电池两大类。
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考题 为了提高太阳能电池的性能，常常在硅片表面制作绒面，有效的绒面结构使得入射光在表面进行多次（）和（），可以增加光的吸收率。A、反射；散射B、散射；折射C、反射；折射D、散射；散射
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考题 根据光在光纤中的传播方式，光纤分为单模和多模两种类型。
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考题 在硅片的抛光过程中，下列因素中不是影响粗抛的主要因素是（）。A、粗抛液的浓度B、粗抛时间C、溶液的密度D、溶液的温度
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考题 硅片抛光在原理上不可分为（）A、机械抛光法B、化学抛光法C、手工抛光法D、机械--化学抛光法
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考题 单选题不可以作为芯片固相载体的有（）A 玻片B 硝酸纤维素膜C 硅片D 尼龙膜E 滤纸
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考题 单选题下列说法中，不正确的是（　　）．A 镜面反射遵守反射定律B 漫反射遵守反射定律C 光在反射时光路是可逆的D 光在折射时光路不可逆
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考题 单选题硅片制备主要工艺流程是（）A 单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B 单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C 单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包D 单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包
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考题 填空题芯片硅片制造厂可以分为6个独立的生产区：扩散区、（）、刻蚀区、（）、（）和抛光区。
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考题 判断题不正确的刻蚀将导致硅片报废，给硅片制造公司带来损失。A 对B 错
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考题 判断题通常抛光轮分为麻轮（用于粗抛处理）和布轮（用于细抛处理）A 对B 错
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考题 填空题制造电子器件的基本半导体材料是圆形单晶薄片，称为硅片或（）。在硅片制造厂，由硅片生产的半导体产品，又被称为（）或（）。
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考题 填空题集成电路的制造分为五个阶段，分别为（）、（）、硅片测试和拣选、（）、终测。
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考题 单选题正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是（）A 单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B 单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C 单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包D 单晶生长→整形→蚀刻→抛光→硅片检测→切片→晶片研磨及磨边→打包
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考题 问答题一般的硅片（wafer）基材（substrate）可区分为N，P两种类型（type），何谓 N， P-type wafer？
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考题 填空题CMP是一种表面（）的技术，它通过硅片和一个抛光头之间的相对运动来平坦化硅片表面，在硅片和抛光头之间有（），并同时施加（）。
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