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在硅片的抛光过程中，下列因素中不是影响粗抛的主要因素是（）。
- A、粗抛液的浓度
- B、粗抛时间
- C、溶液的密度
- D、溶液的温度
参考答案
更多 “在硅片的抛光过程中，下列因素中不是影响粗抛的主要因素是（）。A、粗抛液的浓度B、粗抛时间C、溶液的密度D、溶液的温度” 相关考题
考题
下列抛光机的使用方法中，哪一项是对的？ ()A.抛光机使用时应用力抛，这样才能抛得亮。B.抛光时应将镜片侧边与抛光轮旋转方向相垂直。C.抛光时应将镜片需抛光位置与抛光轮相垂直，并顺着抛光轮旋转方向抛光，不可抛到镜片表面。D.毡轮可以抛树脂片也可以抛玻璃片。
考题
下列抛光机的使用方法中，哪一项是对的？（）A、抛光机使用时应用力抛，这样才能抛得亮。B、抛光时应将镜片侧边与抛光轮旋转方向相垂直。C、抛光时应将镜片需抛光位置与抛光轮相垂直，并顺着抛光轮旋转方向抛光，不可抛到镜片表面。D、毡轮可以抛树脂片也可以抛玻璃片。
考题
单选题硅片制备主要工艺流程是（）A
单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B
单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C
单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包D
单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包
考题
判断题超声波抛光时，一般要经过粗抛、细抛和精抛几个阶段，粗抛时采用固定磨料或采用180﹟左右的磨料进行抛光；细抛光时采用游离磨料方式，磨料粒度为W40左右；最后精抛光时采用W5-3.5W的磨料进行干抛，不加工作液。每次更换磨料时，都应将工具头和抛光表面清洗干净。A
对B
错
考题
单选题正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是（）A
单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B
单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C
单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包D
单晶生长→整形→蚀刻→抛光→硅片检测→切片→晶片研磨及磨边→打包
考题
单选题抛光机的操作步骤包括（）。抛光时镜片与抛光轮呈{.XZ}状态。A
粗抛和细抛；直角B
粗磨和细磨；直角C
粗抛和细抛；锐角D
粗磨和细磨；锐角
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