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单选题
形成临界晶核时需要的形核功由什么提供？（）
A

由外界加热提供；

B

由能量起伏提供；

C

由体积自由能提供。

参考答案

参考解析
解析： 暂无解析
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考题 晶核的形成有（）方式。A、自发形核（异质形核）B、非自发形核（异质形核）C、自发形核（均质形核）D、非自发形核（均质形核）
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考题 熔池晶核长大时所增加的表面能形成晶核时所增加的表面能要小，所以，晶粒长大比形核所需的过冷度（）.A、要小B、要大C、相等
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考题 只依靠液体本身在一定的过冷条件下形成的晶核过程叫做（）。A、自发形核B、非自发形核C、结晶D、形核
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考题 结晶过程是（）的过程。A、形核及晶核长大B、形核及晶核转变C、晶核及质点长大D、晶核及质点转变
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考题 下述说法哪些正确？在相同过冷度的条件下，（）A、非均匀形核比均匀形核的形核率高；B、均匀形核与非均匀形核具有相同的临界晶核半径；C、非均匀形核比均匀形核需要的形核功小；D、非均匀形核比均匀形核的临界晶核体积小。
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考题 非均匀形核所需要的形核功大于均匀形核所需要的形核功。
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考题 为何从球冠形晶核模型推导出的临界晶核半径与实际偏差很大？更符合实际的模型是什么样的？
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考题 在金属结晶过程中，晶核的形成有两种形式：（）。且非自发形核比自发形核更重要，往往起（）作用。
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考题 其它条件不变的情况下，提高过冷度，下面哪个现象不会发生（）A、可能出现的最大晶坯尺寸变大B、临界晶核半径变大C、形核功减小D、形核率增加
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考题 非均匀形核时晶核与基底之间的接触角越大，其促进非均匀形核的作用越大。
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考题 临界形核功
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考题 临界晶核是能够稳定存在的且能成长为新相的核胚，临界晶核的半径越大，晶核的形成（）。A、越容易B、需要更低的能量C、越困难D、不受影响
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考题 下述说法哪些正确？非均匀形核时，θ角越小，形核越容易。这是因为（）A、临界晶核的体积和表面积越小；B、形核需要的过冷度越小；C、需要的形核功越小。。
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考题 问答题解释临界晶核半径r*和形核功△G*的意义，以及为什么形核要有一定过冷度？
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考题 名词解释题临界晶核形核功
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考题 多选题晶核的形成方式有两种，即（）A喂养形成B自发形核C非自发形核
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考题 多选题关于均匀形核，以下说法正确的是（）。A体积自由能的变化只能补偿形成临界晶核表面所需能量的三分之二B非均匀形核比均匀形核难度更大C结构起伏是促成均匀形核的必要因素D能量起伏是促成均匀形核的必要因素E过冷度△T越大，则临界半径越大
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考题 单选题金属结晶后，其晶粒的粗细与结晶时（）有关。A 形核率和形核速度B 形核速度和形核面积C 形核率和晶核长大速度D 晶粒度和晶核长大速度
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考题 单选题临界晶核是能够稳定存在的且能成长为新相的核胚，临界晶核的半径越大，晶核的形成（）。A 越容易B 需要更低的能量C 越困难D 不受影响
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考题 判断题非均匀形核所需要的形核功大于均匀形核所需要的形核功。A 对B 错
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考题 问答题指出下列错误之处，并改正之。 1、所谓临界晶核，就是体积自由能的减少完全补偿表面自由能增加时的晶胚大小。 2、在液态金属中，凡是涌现出小于临界晶核半径的晶胚都不能形核，但是只要有足够的能量起伏提供形核功，还是可以形核。 3、无论温度分布如何，常用纯金属都是树枝状方式生长。
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考题 问答题证明在相同的过冷度下均质形核时，球形晶核与立方形晶核哪种更易形成。
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考题 多选题下述说法哪些正确？非均匀形核时，θ角越小，形核越容易。这是因为（）A临界晶核的体积和表面积越小；B形核需要的过冷度越小；C需要的形核功越小。。
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考题 名词解释题临界形核功
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考题 单选题实际金属结晶形成晶核时，主要是哪种形核方式（）。A 自发形核B 非自发形核C 平面形核
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考题 单选题其它条件不变的情况下，提高过冷度，下面哪个现象不会发生（）A 可能出现的最大晶坯尺寸变大B 临界晶核半径变大C 形核功减小D 形核率增加
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考题 多选题下述说法哪些正确？在相同过冷度的条件下，（）A非均匀形核比均匀形核的形核率高；B均匀形核与非均匀形核具有相同的临界晶核半径；C非均匀形核比均匀形核需要的形核功小；D非均匀形核比均匀形核的临界晶核体积小。
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